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| 1 | 氮掺杂多孔薄层石墨烯的制备、表征及电容性能研究显示文摘以氧化石墨烯(GO)为原料、硫酸铵((NH 4)2 SO 4)为动态气体模板剂,采用浸渍结合焙烧工艺制备了氮掺杂多孔薄层石墨烯(p-Gr).利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X-射线衍射(XRD)、X-射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱(Raman)、氮气吸附-脱附(N 2 adsorption-desorption)等手段对所得材料进行了表征,并考察了不同硫酸铵用量对所制材料电容性能的影响.结果表明,与未活化的石墨烯(Gr)相比(S BET=70.5 m^2/g),所制p-Gr-40具有更大的比表面积(S BET=267.3 m^2/g)、更为丰富的孔结构以及优异的电化学性能.在三电极超级电容器中,在电流密度为1 A/g时,p-Gr-40比电容可达139.2 F/g,远远高于Gr(56.5 F/g);在对称两电极超级电容器中,在功率密度为160.03 W/kg时,p-Gr-40的能量密度为12.98 Wh/kg,其比电容在充放电循环10000圈后仍保持基本不变.这些优异的电化学性能源于其多孔结构及杂原子(如氮)掺杂. | 郑修成 李盼 张晓丽 | 2020 | 信阳师范学院学报(自然科学版)2020，33，2： | 2 |
| 2 | 高容量材料Si@CPZS在锂离子电池中的储锂性能研究显示文摘本文通过简单的溶胶-凝胶法以聚环三磷腈-4,4’-磺酰基二苯酚聚合物(PZS)为碳源通过在硅纳米颗粒表面包覆碳层,成功构筑了核壳结构的Si@C复合材料.通过对不同厚度碳层包覆的Si@CPZS的储锂性能进行研究,发现当硅表面PZS衍生碳厚度为10 nm时具有最佳的储锂性能,且经过长达290圈的循环后容量仍然保持在940 m Ah·g-1,并且利用X射线衍射图谱、热重、比表面孔径测定仪及透射电镜等分析手段对样品进行了结构和组分分析.本文进一步将Si@CPZS复合材料作为石墨的添加剂,结果表明30%的Si@CPZS复合材料可将石墨负极的容量提升至700 m Ah·g-1. | 张庆暖 张芳芳 李红霞 杨兵军 李小成 杨娟 | 2020 | 电化学2020，26，1： | 1 |
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