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| 1 | 锗硅异质结双极晶体管空间辐射效应研究进展显示文摘异质结带隙渐变使锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBT)具有良好的温度特性,可承受-180~+200℃的极端温度,在空间极端环境领域具有诱人的应用前景。然而,SiGeHBT器件由于材料和工艺结构的新特征,其空间辐射效应表现出不同于体硅器件的复杂特征。本文详述了SiGeHBT的空间辐射效应研究现状,重点介绍了国产工艺SiGeHBT的单粒子效应、总剂量效应、低剂量率辐射损伤增强效应以及辐射协同效应的研究进展。研究表明,SiGeHBT作为双极晶体管的重要类型,普遍具有较好的抗总剂量和位移损伤效应的能力,但单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题。由于工艺的不同,国产SiGeHBT还表现出显著的低剂量率辐射损伤增强效应响应和辐射协同效应。 | 李培 贺朝会 郭红霞 张晋新 魏佳男 刘默寒 | 2022 | 太赫兹科学与电子信息学报2022，20，6： | 2 |
| 2 | Proton-induced current transient in SiGe HBT and charge collection model based on Monte Carlo simulation显示文摘The study presents an investigation into the proton-induced current transient in a silicon-germanium heterojunction bipolar transistor(SiGe HBT).The temporal information of the proton-induced current transients is first measured and then compared with results from heavy ion microbeam experiment.Additionally,a model for proton-induced charge collection based on Geant4 Monte Carlo simulation tools is constructed by using the information from heavy ion experiment and 3D TCAD simulation.The results obtained by the validated model exhibit good consistency with the proton experiment. | WEI JiaNan LI Yang YANG WeiTao HE ChaoHui LI YongHong ZANG Hang LI Pei ZHANG JinXin GUO Gang | 2020 | Science China(Technological Sciences)2020，63，5： | 1 |
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