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| 1 | 铝电容器用铝箔腐蚀与化成研究进展显示文摘铝箔腐蚀和化成是制备铝电容器的一个重要过程,由超纯铝箔经过电化学刻蚀制得腐蚀箔,腐蚀箔经过阳极氧化最终得到化成箔。本文从制备工艺的角度对铝箔化成进行了综述,并对腐蚀扩孔、多级化成、复合箔制备的最新进展进行了综述。此外还讨论了腐蚀孔洞的类型、化成液的合理配比、反应机理以及目前研究的不足之处,并提出前景与展望。 | 徐毅远 王文宝 欧永聪 秦祖赠 | 2021 | 广州化工2021，49，1： | 5 |
| 2 | 磁场作用下十二烷基苯磺酸钠对阳极铝箔的缓蚀性能及比电容的影响显示文摘以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为缓蚀剂,通过在扩面增容过程中引入磁场,系统研究了磁致涡流(MHD,Magnetohydrodynamics)效应对腐蚀箔缓蚀性能及比电容的影响规律。通过XRD、扫描电镜(SEM)、EDS、Tafel极化曲线以及交流阻抗曲线等手段对腐蚀箔的表面晶相、表面/截面形貌、S元素分布以及耐蚀性能进行研究。结果表明,MHD效应提高了电解液中DBS-、NO3-向箔面及孔内的传质速率,腐蚀箔表面SDBS吸附量及分布均一性提高,腐蚀箔失重降低,耐蚀性能增强;同时蚀孔内NO3-含量增加,平均蚀孔长度及比表面积增大。对应的腐蚀箔缓蚀效率提高至62.36%,比电容增大至65.39μF·cm-2。与无MHD作用下制备的腐蚀箔相比,MHDT作用下所得腐蚀箔的缓释效率及比电容分别提高了15.10%和10.03%。 | 赵静 王天鹏 张淮浩 | 2020 | 材料导报2020，34，6： | 5 |
| 3 | 阀金属化合物在高比容铝电解电容器中的研究进展显示文摘为了适应近年来电子产品功能化和小型化的发展趋势,铝电解电容器正向着小型化、大容量的方向发展,制备高比容阳极箔的技术是实现这一目标的有效途径之一。本文系统介绍了制备高比容铝电解电容器用阳极箔表面阀金属化合物薄膜的沉积技术,从不同沉积技术制备出薄膜质量的角度,阐述了各种沉积技术在制备铝电解电容器用阳极箔时的优缺点;并分析了通过复合阀金属化合物薄膜的方法来提高阳极箔电性能的研究进展,探讨了高比容铝电解电容器用阳极箔制备技术未来的发展趋势。 | 李卓 杜显锋 李响 武晶晶 林白阁 熊礼龙 | 2021 | 稀有金属材料与工程2021，50，12： | 2 |
| 4 | 磁致涡流效应对化成铝箔Al_2O_3-TiO_2复合膜结构及性能的影响显示文摘以TiCl_4为前驱体溶液,通过磁场辅助电沉积法在腐蚀箔表面形成具有高介电常数的Al_2O_3-TiO_2复合氧化膜。系统研究了磁致涡流效应(MHD效应,Magnetohydrodynamics)对电解液中离子扩散行为及Al_2O_3-TiO_2复合氧化膜结构与性能的影响规律。采用XRD能谱、扫描电镜SEM以及EDS能谱等手段对氧化膜晶相、表面/截面形貌以及Ti元素分布进行表征。结果表明,随着磁感应强度B的增强,电解液中Ti4+向箔面及蚀孔内的扩散速率增大,复合膜层中锐钛矿型TiO_2含量提高,且其在箔面及蚀孔内部分布均一性提升。另外,氧化膜阳极升压曲线、Tafel极化曲线及交流阻抗曲线的分析结果表明,MHD效应提高了复合氧化膜介电常数,减少了阳极氧化阶段的形成电量,对应的化成箔比电容增大至58.29μF/cm2,较之无MHD制备的Al_2O_3-TiO_2化成箔,其形成电量减少了24.6%,比电容增加了10.1%。 | 赵静 王天鹏 马坤松 朱德秋 张淮浩 | 2018 | 中国表面工程2018，31，6： | 2 |
| 5 | 21vf高比容低压腐蚀箔的制备方法显示文摘在21vf高比容低压腐蚀箔制备过程中,通过在低压腐蚀工艺中引入硫酸、草酸、及A物质等添加剂,研究单一添加剂和混合添加剂对铝电解电容器用低压腐蚀箔比电容和保持率的影响。结果表明:腐蚀液的组成是影响21vf腐蚀箔性能的主要因素。在其它条件不变的情况下,在二次腐蚀溶液中加入2-8%H_(2)SO_(4)硫酸、5g/L~10g/L草酸、8-12ppmA混合添加剂时,可以使21vf的比容达到82μF/cm^(2),保持率在59%以上。本文简要介绍了此方法的实验方法及工艺流程,实验结果以供参考。 | 陈锁斌 杨辉 陆伟 陈嘉庚 | 2022 | 世界有色金属2022，47，14： | 0 |
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