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| 1 | 5~6GHz自适应线性化偏置的InGaP/GaAs HBT功率放大器显示文摘针对高质量无线局域网的传输需求,设计了一款工作在5~6 GHz的宽带磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大器芯片。针对HBT晶体管自热效应产生的非线性和电流不稳定现象,采用自适应线性化偏置技术,有效地解决了上述问题。针对射频系统的功耗问题,设计了改进的射频功率检测电路,以实现射频系统的自动增益控制,降低功耗。通过InGaP/GaAs HBT单片微波集成电路(MMIC)技术实现该功率放大器芯片。仿真结果表明,功放芯片的小信号增益达到32 dB;1 dB压缩点功率为28.5 dBm@5.5 GHz,功率附加效率PAE超过32%@5.5 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-32 dBc。 | 堵沈琪 陈亮 李丹 钱峰 杨磊 | 2020 | 电子元件与材料2020，39，3： | 8 |
| 2 | 0.1~6 GHz高线性度低功耗InGaP/GaAs HBT射频放大器显示文摘基于2μm InGaP/GaAs HBT(磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计了一款单片微波集成电路射频放大器芯片。针对达林顿结构射频放大器线性度低的问题,通过设计自适应线性化偏置电路,提高了线性度,降低了功耗,同时增大放大管的尺寸,提高了电路的总输出功率。仿真结果表明,在带内最大增益达到20 dB,增益平坦度为±1.2 dB,放大器的OIP3为34.5 dBm,射频放大器的P-1dB为15 dBm,输入回波损耗为11.3 dB,输出回波损耗为11.5 dB,版图的尺寸为0.4 mm×0.55 mm。 | 张博 李力阳 | 2020 | 电子元件与材料2020，39，10： | 4 |
| 3 | 基于InGaP/GaAs HBT工艺超宽带高线性度单片放大器显示文摘为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器的线性度和稳定静态电流。同时,为了扩展放大器的带宽和提高增益平坦度,设计了负反馈电路结构。基于2μm磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)工艺和达林顿结构,设计了单片微波放大器。电磁仿真结果表明:在5 V电压供电下,静态功耗为0.17 W,本放大器在0.05~10 GHz频率范围内,小信号增益最大为21 dB,输出功率三阶交调点最大为31.1 dBm,输出功率1 dB压缩点最大为16.1 dBm,回波损耗均小于-10 dB,高低温下静态电流波动±1.5 mA。 | 陈仲谋 张博 | 2022 | 电子元件与材料2022，41，1： | 3 |
| 4 | 一种宽带高线性度射频放大器显示文摘采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1~6 GHz的高线性度射频放大器。结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器电路结构,以提高增益平坦度和扩展带宽。同时,针对线性度较低的问题,在有源反馈偏置电路中采用了并联反馈电容的方法来抑制谐波分量的影响,从而提高放大器的线性度。仿真结果显示:在放大器的工作频段内,小信号增益为22.5 dB,增益平坦度为±0.5 dB,噪声系数小于1.7 dB。在频率为4.2 GHz处OIP3可达48 dBm,0.8 GHz处P_(1dB)可达21.4 dBm。版图尺寸为0.85 mm×0.85 mm。 | 张博 贺城峰 吴昊谦 | 2021 | 电子元件与材料2021，40，11： | 0 |
| 5 | 应用于WiFi6的新型高线性度功率放大器设计显示文摘针对WiFi 6的设备需求,设计了一款工作在5.15 GHz~5.85 GHz的高线性度砷化镓异质结双极型晶体管射频功率放大器。为了保证大信号和高温下功率管静态工作点的稳定性,采用了一种新型有源自适应偏置电路。对射频功率检测电路进行了设计和改进,有效降低了射频系统的功耗。针对各次谐波分量产生的影响,对输出匹配网络进行了优化。仿真结果表明:该射频功率放大器芯片小信号增益达到了32.6 dB;在中心频率5.5 GHz时1 dB压缩点功率为30.4 dBm,功率附加效率超过27.9%;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-40 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.4 dB;5.5 GHz时1 dB压缩点功率为29.06 dBm;输出功率为26 dBm时,三阶交调失真低于-30 dBc。当输出功率为20 dBm时,二次三次谐波抑制到-30 dBc和-45 dBc。 | 姚凤薇 焦凌彬 | 2024 | 微波学报2024，40，1： | 0 |
| 6 | 基于三维模型的InGaP/GaAs HBT单粒子效应仿真显示文摘为全面评估航天型号用元器件的抗辐射性能,对InGaP/GaAs异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor,HBT)的单粒子效应进行了仿真研究。首先,介绍了空间辐射环境中重离子诱发器件产生单粒子瞬态脉冲的机理。然后,建立了InGaP/GaAs HBT器件三维仿真模型,并利用蒙特卡罗方法模拟了不同能量的C、F、Cl、Br、I等重离子在器件中的射程和LET值。最后,基于ISE-TCAD仿真软件对器件的单粒子瞬态脉冲电流曲线进行了仿真和分析。结果表明:重离子在器件中产生的集电极瞬态脉冲电流可达几百微安,集电极瞬态脉冲电流与重离子的能量成反比,与离子的原子序数成正比。由此可知,InGaP/GaAs HBT器件对单粒子效应比较敏感,且对不同重离子的敏感程度不同。这可以为航天型号用元器件的设计选型和可靠性评估提供技术支撑。 | 温景超 李旭红 吴立强 王宇 何忠名 | 2020 | 电子元件与材料2020，39，4： | 0 |
| 7 | 基于GaAs HBT有源自适应偏置的高线性度功率放大器设计显示文摘采用2μm砷化镓(GaAs)异质结双极型晶体管(HBT)工艺设计和实现了一种3.3~3.8 GHz的高线性度射频(RF)功率放大器(PA)。采用了一种改进的有源自适应偏置电路结构,既提高了静态偏置电流的稳定性和可控性,又对增益压缩起到了抑制作用。优化了各级匹配网络,抑制了谐波分量的影响,在低电源电压下实现了较高的增益和良好的线性指标。仿真结果显示:测量的小信号增益大于33.4 dB;1 dB压缩点功率为31.3 dBm@3.55 GHz;功率附加效率超过30%@3.55 GHz;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-50 dBc。实测数据表明:小信号增益大于31.2 dB;输出功率为20 dBm时,IMD3低于-40 dBc;输出功率为27.56 dBm时,相邻信道泄露比为-37.62 dBc。 | 焦凌彬 姚凤薇 | 2022 | 电子元件与材料2022，41，11： | 0 |
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