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| 1 | 具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT显示文摘为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN(i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构。新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域的二维电子气(2DEG)完全耗尽,扩展了沟道的夹断区,有效阻止了源极电子向栅极右侧高场区的注入。仿真结果表明,通过设置适当的调制层长度和厚度,器件的击穿电压可从常规结构的862 V提升至新结构的1 086 V,增幅达26%。同时,GaN调制层会微幅增大器件的比导通电阻,对阈值电压也具有一定的提升作用。 | 陈飞 冯全源 | 2021 | 半导体技术2021，46，9： | 1 |
| 2 | 一种具有间断场板和栅下极化层的AlGaN/GaN HEMT器件显示文摘为提高器件的击穿电压,提出了一种具有间断场板和栅下极化层结构的常开型AlGaN/GaN HEMT.分析了器件击穿电压提高的机理.优化了器件结构参数.结果表明,该常开型AlGaN/GaN HEMT的击穿电压从仅有单一场板时的1187V提升到了1573V.该新型结构能够保证AlGaN/GaN HEMT在高压条件下正常工作,极大地提高了器件的击穿性能. | 李昕宇 冯全源 陈飞 文彦 黄进文 | 2021 | 微电子学与计算机2021，38，12： | 0 |
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