|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 2015年电触头材料的研究进展显示文摘根据2015年国内公开发表的科技文献,综述了我国2015年触头材料的研究进展,着重介绍了银基和铜基触头材料的制备工艺和应用研究进展。 | 赵浩融 罗韦 谢永忠 崔得锋 | 2016 | 电工材料2016，，1： | 17 |
| 2 | Sn对电真空Ag-Cu钎料组织和性能的影响显示文摘利用扫描电镜及其能谱仪、同步热分析仪以及对比实验来分析Sn对电真空Ag-Cu钎料微观组织、熔化特性和钎焊性能的影响。结果表明:Sn添加4%(质量分数,下同)时,Ag60Cu钎料中没有脆性β-Cu相生成,对钎料的加工性能影响不大;随着Sn含量的增加,Ag60Cu钎料的液相线温度逐渐降低,同时固相线温度降低幅度更大,导致熔化温度范围扩大,钎料的填缝性能变差;对于含Sn为4%的Ag60Cu钎料,与紫铜的铺展性能以及冶金结合性能都接近于BAg72Cu钎料,并可通过压力加工制成片状钎料,可以用来替代BAg72Cu片状钎料使用。 | 石磊 崔良 周飞 顾小龙 何鹏 | 2016 | 材料工程2016，44，10： | 5 |
| 3 | 烧结温度对大电流电场烧结制备W-Mo-Cu合金的影响显示文摘利用大电流电场烧结工艺在875~1000℃的烧结温度下快速制备W-Mo-Cu合金,研究烧结温度对W-Mo-Cu合金微观组织、硬度及导电性的影响。基于合金烧结过程中的尺寸变化,通过拟合计算得到烧结特征指数,从而推断W-Mo-Cu合金烧结过程中的主要迁移机制。结果表明:烧结温度为875~975℃时,随着烧结温度升高,W-Mo-Cu合金中的孔隙减少,相对密度、显微硬度及电导率提高。当烧结温度为875~925℃时,W-Mo-Cu合金的致密化主要由塑性变形而非烧结引起。当烧结温度高于925℃时,W-Mo-Cu合金致密化过程中经历的主要迁移机制依次为塑性流动、体积扩散、晶界扩散和表面扩散。 | 刘艳芳 冯可芹 周虹伶 柯思璇 | 2019 | 材料工程2019，47，11： | 3 |
| 4 | 真空烧结制备电触头Cu-W/Al2O3合金组织和侵蚀性能分析显示文摘选择真空烧结方法制得组成为Cu-33.6W/Al2O3与Cu-26.8W/Al2O3的两种合金,并对电导率、组织致密度以及表面硬度进行分析,表征了经过电弧侵蚀得到的微观形貌及其熔焊性能。研究结果表明:以真空烧结方式制得的Cu-W/Al2O3触头达到了高于97%的致密度,随着W含量的提高,试样电阻率减小,硬度增加。在铜基体中出现了弥散态的Al2O3颗粒,实现弥散增强效果,显著提升合金耐高温能力。对阳极与阴极触头进行每次电接触测试时都发生了质量减小。采用DC(30 V,30 A)参数对触头阳极与阴极进行侵蚀,形成了长条状、液滴形以及凹凸变化的微观侵蚀形貌。施加10 A电流时,在最初测试阶段形成了大幅波动的熔焊力,随着合金内的W比例从26.8%提高到33.6%的过程中,材料获得了更强的抗熔焊性能。 | 魏国青 赵军富 李志刚 吴志 | 2020 | 真空科学与技术学报2020，40，9： | 2 |
| 5 | 不同氟源对FTO薄膜性能影响及其作用机理显示文摘以SnCl_4·5H_2O为锡源,以不同氟的化合物如CF_3COOH,HF和SnF_2为氟源,采用溶胶-凝胶-蒸镀法制备不同氟源掺杂的SnO_2(Fluorine-doped Tin Oxide,FTO)薄膜,主要研究CF_3COOH,HF和SnF_2不同氟源的掺入对薄膜的表面形貌、结构以及光电性能的影响,系统地探讨了其作用机制。结果表明:3种氟源制备的FTO薄膜表面形貌分别为不规则多边形状、棒状以及金字塔状,且均呈四方金红石型结构。3种氟源中,以SnF_2为氟源的SnO_2薄膜综合性能较佳,其方块电阻为14.7Ω/,红外反射率为86.1%。不同氟源的掺杂机制主要是F-和SnO2晶粒间的键合方式不同,或生成氟锡化合物的难易程度不同,一次掺杂的氟源(SnF_2)制备的FTO薄膜性能优于二次掺杂的(HF)以及间接性掺杂的氟源(CF_3COOH)。 | 樊琳 许珂敬 史晓慧 贾雨辉 张衡 魏春城 | 2018 | 材料工程2018，46，9： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员