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| 1 | “自上而下”法制备高性能GaN纳米线阵列显示文摘针对自下而上生长GaN纳米线的尺寸、形态、取向不易控制的问题,文中采用自上而下刻蚀的方法来制备GaN纳米线材料。以图形化的金属Ni作为掩膜对GaN进行ICP刻蚀,系统研究了刻蚀参数,主要是ICP功率以及RF功率对GaN纳米线形貌以及拉曼、PL光谱的影响,同时也对比了干法刻蚀后,有无湿法处理的影响。研究发现,当ICP功率为1000W,RF功率为100W时,GaN纳米线的拉曼和PL光谱强度较大,表明此功率下刻蚀的纳米线损伤较小。经过KOH浸泡30min后,GaN纳米线的形貌得到了改善,拉曼和PL光谱强度均优于单纯的干法刻蚀,为下一步器件的制备提供了良好的材料基础。 | 桂奇 祝元坤 王现英 | 2019 | 电子科技2019，32，9： | 1 |
| 2 | GaN能量转换器件的制作及其性能研究显示文摘针对纳米发电机不易在较低温度下产生稳定的直流电的问题,文中把GaN纳米线阵列制作了能量转换器件。将GaN能量转换器件分别置于25~74℃的环境中,检测器件产生的开路电压和短路电流,并检测器件产生电信号大小与温度的关系。结果表明,通过刻蚀法制备的GaN纳米线阵列,制作成能量转换器件后,产生的电信号会随着环境温度的升高而增加,并且在约74℃时,可以产生高达78 mV的开路电压和0.24 nA的短路电流。 | 张达芮 王丁 王现英 | 2020 | 电子科技2020，33，3： | 0 |
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