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| 1 | 分布反馈半导体激光器取样光栅特性分析显示文摘为了改善传统分布反馈半导体激光器的单模特性和因激光腔端面AR涂层而导致制造工艺复杂的情况,需要引入取样光栅,这是一种不同于均匀光栅、λ/4相移光栅、周期光栅、对称光栅和非对称光栅等的新结构光栅,其可沿着激光腔的特定区域(此区域包含光栅)进行耦合。另外,借助传输矩阵法得到耦合模式方程,建立起分布反馈半导体激光器的取样光栅结构模型。并且从耦合系数、平坦度、阈值等多个方面对构建的模型进行仿真对比。分析仿真结果可知,采样光栅的引入,使激光器无需对端面AR涂层,即可消除相移等随机变量对激光器的影响。并且,在新结构中,无需考虑光栅相移以及光栅的完整性,进一步降低了激光器制备的复杂性。 | 王文鑫 吕玉祥 | 2018 | 激光杂志2018,39,10: | 2 |
| 2 | 分布布拉格反射器半导体激光器中光栅结构设计显示文摘半导体激光器发射光谱中的边模存在恶化了其光束质量,严重限制了其在通信领域中的应用。基于分布布拉格反射器(DBR)半导体激光器中光栅的占空比、耦合系数、材料折射率三者之间的关系,研究了光栅占空比分布对边模抑制的影响,同时对矩形均匀光栅和矩形渐变占空比光栅结构的边模进行了分析与比较。优化了DBR光栅结构,分析了矩形均匀光栅与锥形渐变占空比光栅结构的旁瓣强度大小。利用时域有限差分(FDTD)法对器件结构进行仿真模拟,在不同光栅占空比分布下,分析了光栅的占空比和反射率的关系,并讨论了渐变占空比光栅反射峰值与光栅长度的关系。结果表明,渐变占空比光栅相比于矩形均匀光栅,边模得到有效抑制。当注入电流为63 mA时,在温度300 K下,矩形渐变占空比光栅结构的器件边模抑制比达到48 dB,并且渐变占空比光栅的反射峰值达到96%。通过分析矩形均匀光栅和锥形渐变占空比光栅结构在远场侧向切面上的光场分布,发现利用锥形渐变占空比光栅制作DBR有助于降低DBR半导体激光器的旁瓣强度。 | 朱坤 李辉 郝永芹 钱冉 王东岳 | 2023 | 中国激光2023,50,11: | 1 |
| 3 | 全息曝光实现的20波长DFB半导体激光器阵列显示文摘报道了一种基于全息曝光技术实现的20波长分布反馈式(DFB)半导体激光器阵列。传统的DFB半导体激光器光栅一般是利用电子束曝光的方式来实现,这种方式精度较高,然而成本昂贵并且非常耗时,不适合大规模生产应用,而全息方式制作容易,成本很低,适合大规模生产应用。实验结果表明,利用全息曝光技术实现的DFB激光器阵列具有良好的光电特性,激光器阵列的波长偏差在-0.5 nm至0.45 nm,阈值电流在13m A至17 m A,斜效率为0.4 W/A;50 m A偏置电流下,边模抑制比都大于40 d B。 | 卢林林 | 2017 | 激光杂志2017,38,1: | 0 |
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