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| 1 | 新一代SiC功率器件及其在逆变焊机中的应用显示文摘目前逆变焊机普遍采用的Si基功率器件的性能已接近由其材料特性决定的理论极限,依靠Si基功率器件继续完善和提高逆变焊机性能的潜力已十分有限。SiC是一种革命性的宽禁带半导体材料,是下一代功率半导体材料的重点发展方向。介绍了新型SiC材料的特性及其功率器件的类型、原理和特点;对比分析SiC和普通Si基功率器件的性能;在此基础上探讨将SiC功率器件应用于逆变焊机的优势;分析和展望SiC功率器件在新一代逆变焊机中的应用前景。 | 王振民 王鹏飞 | 2016 | 电焊机2016，46，6： | 2 |
| 2 | 1700 V/1200 A Si/SiC混合模块研制与性能对比显示文摘介绍了一种由Si IGBT与SiC JBS组合封装的Si/SiC混合模块,利用SiC JBS单载流子器件没有反向恢复特性的特点,提升IGBT模块的特性。对Si/SiC混合模块的结构、工艺、测试结果进行了描述,与Si模块相比,在芯片结温为125℃时,Si/SiC混合模块的续流二极管的反向恢复电流减少了86.7%,反向恢复能量减少了98.1%,恢复时间减少了约82.1%。根据相同工况条件下的损耗计算,与Si模块相比,Si/SiC混合模块的续流二极管功耗减小了64%,Si/SiC混合模块的IGBT芯片的损耗与Si模块持平,总功耗减小了7.1%。 | 冯科 杨晓菲 王昭 | 2019 | 固体电子学研究与进展2019，39，5： | 0 |
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