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时间 1989 - 2010 学科选择学科
题名/关键词 模糊
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1二氧化钛/硅异质结光电导传感器的阻抗特性研究显示文摘采用喷雾热解法在单晶硅(Si)上制备二氧化钛(TiO_(2))薄膜,以金属铟作为背电极构成TiO_(2)/Si异质结光电导传感器.采用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对样品的晶体微结构及表面形貌进行表征,通过紫外可见光谱研究TiO_(2)薄膜的光学吸收性能,在不同光照强度(5、10、15、20 mW·cm^(-2))下通过高精度数字电桥TH2828测试异质结的交流阻抗,并给出了等效电路并解释其光电导机制.周小岩 韩立立 张翔翔 王立鑫 杨喜峰 2022江西师范大学学报(自然科学版)2022，46，4：1
2Analysis of morphological,structural and electrical properties of annealed TiO2 nanowires deposited by GLAD technique显示文摘The effect of annealing on vertically aligned TiO_2 NWs deposited by glancing angle deposition(GLAD)method on Si substrate using pressed and sintered TiO_2 pellets as source material is studied.The FE-SEM images reveal the retention of vertically aligned NWs on Si substrate after annealing process.The EDS analysis of TiO_2NWs sample annealed at 600 ℃ in air for 1 h shows the higher weight percentage ratio of ~2.6(i.e.,72.27%oxygen and 27.73%titanium).The XRD pattern reveals that the polycrystalline nature of anatase TiO_2 dominates the annealed NWs sample.The electrical characteristics of Al/TiO_2-NWs/TiO_2-TF/p-Si(NW device) and Al/TiO_2-TF/p-Si(TF device) based on annealed samples are compared.It is riveting to observe a lower leakage current of ~1.32 × 10^(-7) A/cm^2 at +1 V with interface trap density of-6.71 × 10^(11)eV^(-1)cm^(-2)in NW device compared to ~2.23 × 10^(-2) A/cm^2 in TF device.The dominant leakage mechanism is investigated to be generally Schottky emission;however Poole-Frenkel emission also takes place during high reverse bias beyond 4 V for NWs and 3 V for TF device.B.Shougaijam R.Swain C.Ngangbam T.R.Lenka 2017Journal of Semiconductors2017，38，5：0
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