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1氧化锌薄膜研究的新进展显示文摘ZnO薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料。ZnO薄膜的制备方法多样,薄膜的性质取决于不同的掺杂组分,并与制备工艺紧密相关。简述了ZnO薄膜的制备方法与基本性质与应用,分析了ZnO薄膜研究、应用与开发现状,展望了产业化发展前景。贾晓林 张海军 谭伟 2003材料导报2003,17,F09:12
2不同掺Al^(3+)浓度的ZnO:Al薄膜性能研究显示文摘采用溶胶-凝胶法制备ZnO:Al(ZAO)薄膜,得到了不同掺Al3+浓度的ZAO薄膜;利用X射线衍射仪分析、原子力显微镜、紫外-可见分光光度计及四探针法等仪器与方法对其性能进行了测试。通过分析比较,得出所制备的ZAO薄膜为多晶纤锌矿结构,薄膜表面平整、晶粒致密均匀;Al3+掺杂能提高其导电性能:低掺杂时,薄膜在紫外-可见光范围的透过率超过80%,并伴有蓝移现象产生;高掺杂时,其透过率无明显增加,但蓝移现象加剧,最大蓝移量达340nm。葛启函 邓宏 陈航 徐自强 2006电子科技大学学报2006,35,2:8
3Al掺杂ZnO光学性能的第一性原理研究显示文摘本文用平面波赝势方法(PWP)计算了Al掺杂ZnO前后的光学特性,即介电函数虚部2ε(ω)并从能带结构和态密度图上解释了为什么掺Al后ZnO的光学谱在3.045、7.158、10.066、11.386和13.649eV处的峰消失了,在1.835、4.329、5.460、6.592、10.668和12.024eV处的峰值减小了,而在8.100和8.855eV处的峰值增大了的原因,并从光谱图上分析得出,掺杂后的ZnO要发生蓝移现象。彭丽萍 孟桂菊 徐凌 2007高等函授学报(自然科学版)2007,20,4:6
4应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜显示文摘采用RF平面磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜。对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究。结果表明:在纯氧中高温退火(600℃)是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法。章天金 顾豪爽 2002湖北大学学报(自然科学版)2002,24,3:6
5厚度对ZnS薄膜结构和应力的影响显示文摘用射频磁控溅射法在单晶Si基片上制备了4种不同厚度的ZnS膜,采用XRD和光学干涉相移法对薄膜的微结构和应力进行研究。结构分析表明,不同厚度的ZnS膜均呈多晶状态,并有明显的(220)晶面择优取向,晶体结构为立方晶型(闪锌矿)结构;随着薄膜厚度的增加,平均晶粒尺寸随之增大;薄膜的晶格常数在不同厚度下均比标准值稍大。应力分析表明,随着膜厚的增加,ZnS膜的应力差减小,在厚度为768 nm时的选区范围内应力差最小,应力分布较均匀。马锦 马云芳 宋学萍 孙兆奇 2007合肥工业大学学报(自然科学版)2007,30,1:4
6超声雾化气相沉积法制备ZnO薄膜显示文摘采用超声雾化气相沉积工艺,以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,在SiO2/Si衬底上成功的制备出ZnO薄膜。通过X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌进行分析,发现随着衬底温度升高,ZnO薄膜c轴取向趋势增强,表面趋于光滑平整。研究表明,在前驱体溶液浓度为0.1 mol/L,衬底温度为320℃,载气流量为0.1 L/min,喷口到衬底的距离为60 cm、沉积30 min的实验条件下,生长出的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,且具有的高度c轴取向。温媛 杨成韬 张树人 2007压电与声光2007,29,3:2
7射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和应力特性显示文摘用JGP560I型超高真空多功能磁控溅射仪在Si(111)衬底上制备了ZnO薄膜。采用X-Ray衍射仪和电子薄膜应力分布测试仪等对其微结构和应力进行了测试分析。研究结果表明,ZnO薄膜具有良好的c轴择优取向;随着薄膜厚度的增加,薄膜中的平均应力减少;膜厚为744 nm时平均应力、应力差均最小,分别为5.973×108Pa、6.159×108Pa,应力分布较均匀。宋学萍 周旭 孙兆奇 2007合肥工业大学学报(自然科学版)2007,30,9:2
8退火温度对ZnO薄膜性能的影响显示文摘采用射频磁控溅射法在硅衬底上制备出具有(002)择优取向ZnO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、原子力显微镜(AFM)、双光束紫外可见分光光度计等仪器分析了退火温度对ZnO薄膜的结构、应力状态、表面形貌和光学性能的影响.结果表明,在射频功率为100W时所制备的ZnO薄膜,当退火温度为600℃时,能获得最佳c轴取向和最小半高宽,此时ZnO薄膜具有较低的表面粗糙度和较高的透射率.余花娃 杜亚利 王晶 严祥安 高宾 2009纺织高校基础科学学报2009,22,1:1
9新型工艺制备ZnO薄膜的结构与形貌研究显示文摘采用了一种新型工艺制备ZnO薄膜。新工艺采用二步法,首先在N型Si(100)衬底上用离子束沉积溅射一层金属Zn膜,然后通过热氧化金属Zn膜制备ZnO薄膜。通过X射线衍射、原子力显微镜对不同制备工艺下的ZnO薄膜进行结构与形貌的分析比较。研究表明,Zn膜的离子束溅射沉积时间、热氧化时间和辅助枪的离子束对热氧化后的ZnO薄膜再轰击处理对ZnO薄膜的结构与形貌都会产生影响。曹冰 何晓雄 李合琴 顾金宝 赵之明 刘炳龙 2007真空与低温2007,13,2:1
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