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| 1 | 从晶体取向特点探讨ZnO薄膜的晶体不完整性显示文摘用MOCVD法在蓝宝石衬底上得到了ZnO(0002)膜,并用XRD和SEM进行了表征.结果表明,薄膜中沿[0001]择优取向生长的柱状晶垂直于衬底表面,晶柱之间存在着边界和间隙.x射线中扫描实验结果表明.晶柱之间的取向偏差在3°-30°之间,X射线ω摇摆曲线和谱线宽度分析结果表明,薄膜中的晶柱是由多个晶粒堆叠而成,且晶粒之间的平均取向偏差也在2.6°以上.实验结果表明,ZnO大失配度异质外延膜是c轴[001]取向柱状多晶体,ZnO薄膜的结晶不完整性主要是由其柱状晶结构造成的。 | 侯长民 黄科科 高忠民 马艳 杜国同 李向山 冯守华 | 2006 | 高等学校化学学报2006，27，5： | 5 |
| 2 | MOCVD方法生长ZnO微米柱的结构与光学性质显示文摘通过X射线衍射、扫描电子显微镜和变温光致发光光谱对MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上的ZnO微米柱材料的结构及发光特性进行了表征。X射线衍射结果表明,ZnO具有良好的c轴择优取向,扫描电子显微镜图中可观察出ZnO微米在呈六角结构生长,半径约为0.5~1.5μm。样品的发光光谱通过He-Cd激光器的325 nm线激发,从光谱中发现低温(81 K)下出现极强的与激子相关的带边发光峰,温度升高到360 K时与自由激子相关的紫外发射峰仍然是清晰可见。 | 魏志鹏 吕有明 申德振 刘益春 赵东旭 李炳辉 张吉英 范希武 | 2004 | 发光学报2004，25，2： | 3 |
| 3 | 声表面波器件用〈110〉取向ZnO薄膜的MOCVD生长显示文摘ZnO films with <110> orientation were grown on R-Al 2O 3 substrates by LP-MOCVD, and the growth temperature was optimized. The quality of crystal, surface morphology and optical characteristic of the samples were investigated by XRD, AFM and PL method. The experimental results show that the FWHM of the optimized sample is only 0.50°. Compared with that of the sample grown on C-Al 2O 3 material under the same conditions, the surface morphology of the first sample is denser and smooth, while the PL spectra indicate that the exciton emitting intensity of <110> oriented ZnO film in the ultraviolet range is lower. However, the deep-level emission related to the intrinsic defects disappears in the spectrum. All above indicate that the <110> oriented ZnO film is more suitable for fabrication of the film SAWF with a low loss and a high frequency than for fabrication of the emitting device in ultraviolet range. | 赵佰军 杜国同 王金忠 杨洪军 张源涛 杨小天 马艳 刘博阳 杨天鹏 刘大力 | 2003 | 高等学校化学学报2003，24，10： | 3 |
| 4 | 应用织构极图研究ZnO外延膜的晶体取向特征显示文摘用MOCVD法在蓝宝石衬底上生长ZnO外延膜。用理学D/m ax 2550转靶衍射仪测量ZnO外延膜织构。观察到试样存在2种晶体取向关系:ZnO[11-20]//A l2O3[10-10]及ZnO[10-10]//A l2O3[10-10]。计算得到晶格取向极点分布平均半高宽为12.26O,且前一种取向晶体的数量是后者的13倍。探讨了2种取向的热力学稳定性。给出了外延膜取向特性的逐层分析结果。 | 高宇 顾滨兵 侯长民 黄科科 高忠民 李向山 | 2007 | 实验技术与管理2007，24，9： | 1 |
| 5 | BenQ S620i手机显示文摘 | | 2002 | 电子科技2002，15，10： | 0 |
| 6 | 新型ZnO组装体结构制备及光致发光性能显示文摘以半导体光催化剂ZnO为研究对象,通过热分解前驱体(十二烷基苯磺酸锌)制备ZnO组装体.采用FT-IR、XRD和SEM对试样的结构进行分析,并用PL对其光致发光性能进行了研究.结果表明,在焙烧温度为950℃,焙烧时间为8 h时,可以得到近似有序结构的纯相的具有六角纤锌矿结构的纳米ZnO.其紫外近带边发生和深能级复合的光致发光谱强度比为0.4. | 侯春燕 冯威 丁永生 陈捷 刘延 | 2006 | 大连海事大学学报2006，32，3： | 0 |
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