共被期刊论文引用了2次
您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总
|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 脉冲工况晶闸管扩展速度的影响因素研究显示文摘为研究不同因素对其电流扩展速度的影响,根据晶闸管的结构特点和工作原理,建立晶闸管器件模型及脉冲成形网络等效电路模型并进行了仿真模拟。数值仿真结果表明,当正向阻断电压从3000 V增加至5000 V时,扩展速度可增加24.6%;当基区宽度从500μm增加至900μm时,扩展速度降低了31.7%;当载流子寿命从1μs增加至10μs时,扩展速度增加了56.9%,而当温度从300 K增加至330 K时,扩展速度仅增加了0.3%,可以看到温度对扩展速度的影响较小。研究结果有助于选择合适参数以保证开通所需的扩展速度,对改进晶闸管器件设计、提高晶闸管工作性能都具有应用价值。 | 张晓 张冠祥 鲁军勇 戴宇峰 武文轩 | 2022 | 国防科技大学学报2022，44，2： | 1 |
| 2 | SiC光触发晶闸管的发展与挑战显示文摘SiC光触发晶闸管不仅具备传统SiC晶闸管超高耐压、超大通流能力的特点,还在简化驱动电路、提高系统抗电磁干扰能力方面具备独有优势。概述了SiC光触发晶闸管的发展历程,介绍了SiC LTT紫外发光二极管(UV LED)触发、SiC LTT放大门极以及全光控SiC LTT等重要技术,讨论了SiC LTT仍面临的低触发光强与快开通速度难以兼顾的技术挑战,分析了放大门极结构在低光强触发模式下改善SiC LTT性能的局限性。最后,探讨了低光强触发模式下SiC LTT难以快速开通这一瓶颈问题的物理机制与改善方向。 | 王曦 蒲红斌 封先锋 胡继超 刘青 杨勇 谌娟 | 2021 | 固体电子学研究与进展2021，41，3： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员