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| 1 | ZnO薄膜的制备和发光特性的研究显示文摘用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位。以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。 | 梅增霞 张希清 衣立新 韩建民 赵谡玲 王晶 李庆福 | 2002 | 发光学报2002，23，4： | 33 |
| 2 | ZnO薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量显示文摘采用正入射的方法研究了生长在硅基片上的氧化锌薄膜的反射光谱,测量出氧化锌薄膜的光学吸收边在370nm,所对应的能量值为3 35eV。测量生长在石英玻璃基片上的氧化锌薄膜的透射光谱,得到相同的吸收边。表明ZnO薄膜的光学禁带宽度与体材料的禁带宽度一致。反射谱中,在550~600nm之间观察到一个吸收峰,吸收峰的位置以及吸收边的陡峭程度都随薄膜的结晶状况的不同而有所不同。 | 傅竹西 林碧霞 何一平 廖桂红 | 2002 | 发光学报2002，23，6： | 17 |
| 3 | ZnO薄膜的光致发光显示文摘 ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题。关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现。本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述。提出了关于需进一步研究的问题。 | 马勇 王万录 廖克俊 吕建伟 孙晓楠 | 2004 | 功能材料2004，35，2： | 16 |
| 4 | ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理显示文摘以同步辐射真空紫外光 (1 95nm)为激发源 ,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射 ,其峰值波长分别为 380 ,36 9.5 ,2 90nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系 ,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区 ,而在真空紫外区 (1 0 0~ 2 0 0nm) ,可能源于ZnO的下价带 (Zn3d组态 )电子的激发。 | 施朝淑 张国斌 陈永虎 林碧霞 孙玉明 徐彭寿 傅竹西 Kirm M Zimmerer G | 2004 | 发光学报2004，25，3： | 16 |
| 5 | ZnO薄膜发光特性的研究进展显示文摘ZnO薄膜具有压电、光电、压敏、气敏、发光等多种特性,应用极为广泛。针对ZnO薄膜的发光特性,对ZnO薄膜的制备、影响其发光特性的因素及其发光机理的研究进展进行了综述。 | 边超 姚宁 张兰 杨仕娥 张兵临 | 2003 | 真空与低温2003，9，2： | 14 |
| 6 | 射频磁控溅射ZnO薄膜的结构和光学特性显示文摘采用射频 (RF)反应磁控溅射法在n Si(0 0 1)衬底上外延生长ZnO薄膜。XRD谱测量显示出较强的 (0 0 2 )衍射峰 ,表明ZnO薄膜为c轴择优取向生长的。室温PL谱测量观察到了较强的紫外光发射和深能级发射。 | 张源涛 李万程 王金忠 杨晓天 马艳 殷宗友 杜国同 | 2003 | 发光学报2003，24，1： | 11 |
| 7 | Si表面上生长的ZnO薄膜的阴极射线荧光显示文摘几种不同温度下退火的用直流溅射法生长的ZnO/Si样品的阴极射线荧光(CL)光谱显示,当退火温度低于等于800℃时,随着退火温度的升高,薄膜的晶体质量得到了改善,这主要体现在390nm紫外带的发射强度与505nm绿带发射强度的相对比值迅速增加,同时也发生了绿带的红移以及窄化效应。但退火温度超过800℃时绿带就不再红移了,其峰位为525nm。当退火温度为950℃时,紫外带几乎消失,而只剩下绿带,且与纯硅酸锌样品的CL谱一致,掠入射X射线衍射测量表明,确有三角相三元化合物硅酸锌的产生。因此,从ZnO/Si异质结的质量来看,直流溅射法可能不适宜用于生长这样的异质结:因为当退火温度低于800℃且相差较大(如600℃)时,不能得到产生强ZnO紫外发光的晶体质量,而当退火温度接近或高于800℃时,虽然ZnO晶体质量得到了改善从而紫外发光份额迅速增加,但同时也产生了新的三元化合物硅酸锌,将严重影响ZnO/Si异质结的电学输运特性。 | 许小亮 徐军 徐传明 杨晓杰 郭常新 施朝淑 | 2003 | 发光学报2003，24，2： | 11 |
| 8 | 退火处理对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响显示文摘利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,将该样品进行退火处理,并测量了样品的导电性能,结果显示退火处理可以引起薄膜的重结晶,从而改善薄膜的结晶状况,改变薄膜中的化学配比。退火后样品的薄膜电阻相对较小,增加了薄膜中施主的浓度,增强了薄膜的导电性。 | 潘志峰 袁一方 李清山 | 2006 | 光学与光电技术2006，4，1： | 8 |
| 9 | 不同衬底材料的ZnO/Si异质结I-V及光电特性显示文摘采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含Mn0.2%)/Si异质结、包含SiC缓冲层的ZnO/SiC/Si和ZnO(含Mn0.2%)/SiC/Si结构,测试了样品的XRD曲线、I-V特性曲线和P-E(光电响应)特性曲线.结果发现ZnO/n-Si结有很低的反向暗电流,SiC缓冲层能提高反向击穿电压,ZnO/p-Si(p+)异质结能有较强的光电响应,ZnO/n-Si(n-)更适合作为大波段区间的光探测器.还发现波长470,480,490nm处类似于声子伴线的光谱结构. | 刘峥嵘 谢家纯 郭俊福 李雪白 赵朝阳 刘文齐 傅竹西 | 2008 | 中国科学技术大学学报2008，38，11： | 5 |
| 10 | PLD方法制备的ZnO纳米柱结构及光学特性显示文摘采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO柱状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等表征手段对ZnO纳米柱的形貌、晶体结构和光学特性进行了观察。SEM图像观察到ZnO纳米柱状结构具有一定的取向性;XRD测试在2θ=34.10°处观测到强的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米柱具有较好的c轴择优取向;室温PL谱在379nm处观察到了强的自由激子发射峰(半峰全宽为19nm),未探测到深能级跃迁发射峰,表明生长的纳米ZnO结构具有很高的光学质量。 | 孙开通 胡礼中 于东麒 李娇 张贺秋 付强 陈希 王彬 | 2010 | 发光学报2010，31，2： | 5 |
| 11 | Surface morphology and photoluminescence properties of ZnO thin films obtained by PLD显示文摘ZnO thin films on Si(111) substrate were deposited by laser ablation of Zn target in oxygen reactive atmosphere, Nd-YAG laser with wavelength of 1 064 nm was used as laser source. XRD and FESEM microscopy were applied to characterize the structure and surface morphology of the deposited ZnO films. The optical properties of the ZnO thin films were characterized by photoluminescence. The UV and deep level (yellow-green) light were observed from the films. The UV light is the intrinsic property and deep level light is attributed to the existence of antisite defects (OZn). The intensity of UV and deep level light depends strongly on the surface morphology and is explained by the surface roughness of ZnO film. A strongly UV emission can be obtained from ZnO film with surface roughness in nanometer range. | 范希梅 连建设 郭作兴 蒋青 | 2005 | 中国有色金属学会会刊:英文版2005，15，3： | 3 |
| 12 | MOCVD法在(220)CaF2衬底上生长ZnO薄膜及其性能研究显示文摘采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)法在(220)CaF2衬底上外延生长ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光谱和光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的结构和光学性能进行了分析。XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜结晶性能良好,具有高度的(002)的择优取向,002衍射峰的半高宽(FMHM)为0.115°。所制备的ZnO薄膜透明,透过率超过85%。在常温的(He-Cd激光器)PL谱中,只有378.5 nm的带边发射。用同步辐射光源测试的真空紫外光谱中,在低温20K时,出现218 nm、368 nm、418 nm、554 nm发光峰,其中368 nm峰强度随着温度的升高强度逐渐下降,到常温时几乎消失。 | 王银珍 徐军 初本莉 何琴玉 | 2008 | 人工晶体学报2008，37，4： | 3 |
| 13 | 离子注入及后退火方法制备SiO_2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质显示文摘利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入 3× 10 17cm-2 剂量的Zn离子 ,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子。X射线衍射光谱的实验结果表明 :在氧气气氛、70 0℃退火温度和 2小时退火时间条件下 ,得到了 (0 0 2 )择优取向镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子 ;而在 70 0℃退火温度、N2 和O2 气氛下顺次退火 1小时 ,得到了比上述条件 (0 0 2 )择优取向更好的ZnO纳米粒子。室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2 基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰。室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于 3 2 9eV处的强紫外发射 ,紫外发射强度与深能级发光强度之比为4 0 ,紫外发射峰的半高宽为 96meV ,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO。在低温 (77K)光致发光谱中 。 | 刘玉学 刘益春 申德振 钟国柱 范希武 孔祥贵 | 2002 | 发光学报2002，23，5： | 3 |
| 14 | 沉积温度对ZnO薄膜结构及发光性能的影响显示文摘利用Nd-YAG激光器(波长为1064nm,频率为10Hz)做光源,采用纯金属锌靶,以Si(111)为基体在有氧的气氛中通过激光烧蚀锌靶表面来制备氧化锌薄膜,研究基体温度对ZnO薄膜结构及发光性能的影响。通过XRD和AFM原子力显微镜来表征氧化锌薄膜的结构和表面形貌,其光学性质由光致发光谱来表征。结果表明:在450-550℃的条件下沉积的ZnO薄膜具有c-轴择优取向,500℃时c-轴取向最明显。具有c-轴取向的ZnO薄膜具有强的紫外光发射和弱的绿光发射,发光中心在518nm处的黄绿光发射主要归因于电子从导带底部到氧位错缺陷OZn能级之间的跃迁。 | 范希梅 连建设 | 2007 | 材料热处理学报2007，28，1： | 3 |
| 15 | 氧对纳米ZnO薄膜晶体结构和光致发光的影响显示文摘ZnO是一种直接带半导体材料,在光电领域中和GaN一样受到关注.ZnO不仅有与GaN相似的晶体结构,而且它的激子结合能高达60meV,是GaN的2.4倍.采用射频(RF)磁控溅射法在n-Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,XRD谱测量显示出氧压对ZnO薄膜的晶体结构有显著影响.用波长为325nm的激光激发,观察到在445nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子跃迁到价带,分析了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响. | 潘志峰 袁一方 王志坚 | 2004 | 曲阜师范大学学报(自然科学版)2004，30，2： | 3 |
| 16 | 氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响显示文摘探讨氧氩比对ZnO薄膜晶体结构和导电性能的影响。利用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,在其他反应条件不变的情况下,改变氩氧比,测量了样品的晶体结构和导电性能。随着反应气氛中氩气含量的增加,(002)面衍射峰的强度有所提高,说明薄膜的结晶质量有所改善,衍射峰略向θ角减小的方向移动。随着反应气氛中氩气含量的增多、氧气含量的减少,ZnO薄膜的方块电阻明显减小,说明薄膜的电阻率随反应气氛中氩气的增加而明显减小。 | 潘志峰 袁一方 李清山 孔繁之 张利宁 | 2007 | 光学仪器2007，29，1： | 2 |
| 17 | 掺杂ZnO薄膜研究显示文摘采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜.通过X射线衍射、台阶仪及Hall效应等测试研究了衬底温度和掺杂对晶体质量和电学性能的影响,发现原位生长的ZnO薄沿c轴择优生长,且掺杂ZnO薄膜具有低达3.029×10-4Ω·cm的电阻率. | 郝瑞亭 刘焕林 杨宇 | 2004 | 功能材料2004，35，z1： | 1 |
| 18 | 蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH_3掺杂研究显示文摘以NH3为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH3流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。 | 王金忠 杜国同 马艳 赵佰军 杨晓天 张源涛 刘大力 李万程 杨洪军 杨树人 吴爱国 李壮 | 2003 | 发光学报2003，24，4： | 1 |
| 19 | 纳米氧化锌在电子电气工业中的应用显示文摘纳米氧化锌作为一种新型无机非金属材料有着许多优异的性能和广泛的应用,并在很多领域中显示出了独特的魅力。针对纳米氧化锌优良的电化特性较为系统地评述了其在电子电气工业中的应用。 | 孙力军 张文彬 侯象洋 | 2005 | 有色金属2005，57，1： | 1 |
| 20 | ZnO纳米柱无序介质中泵浦面积对局域模发射的影响(英文)显示文摘基于ZnO纳米柱制备及发光实验,建立了ZnO纳米柱的位置和大小都是无序的二维介质结构模型.通过构建增益模型,用时域有限差分法数值模拟了无序介质中频谱特性以及ZnO增益频谱范围内的某一个共振峰对应的波源在无序介质中的光场分布情况,发现了局域模的存在.分四种情况讨论了此局域模的受激辐射与泵浦面积的关系:改变泵浦功率,从左到右依次增加两层ZnO纳米柱泵浦和单独泵浦一个局域区域;泵浦功率一定时,增加泵浦局域区域和非局域区域中ZnO纳米柱个数.结果表明:存在一个临界泵浦功率,当泵浦功率小于临界泵浦功率时,无论泵浦面积多大都不能激发局域模;当泵浦功率大于临界泵浦功率时,对于不同的泵浦功率,局域模被激发所需的临界泵浦面积不同;随着泵浦功率的增加,当泵浦面积一定时,光场相对强度呈递增趋势,当泵浦功率超过临界功率时,光场相对强度急剧上升. | 游巧琴 李炳祥 杨欢 胡达波 雷园 王月明 谢应茂 | 2011 | 光子学报2011，40，11： | 1 |
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