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| 1 | 第一性原理研究PDP放电单元MgO保护层各种空缺对二次电子发射系数的影响显示文摘基于密度泛函理论的第一原理赝势法,研究了PDP放电单元中MgO保护层在形成氧空缺后的电子结构的变化。通过对能带结构和态密度分布的计算,可以看到MgO形成氧空缺后在禁带中引入了能级。本文计算了完整MgO以及含F、F+、F2+空缺的MgO晶体,得到不同能带结构和态密度分布,同时计算了相应的二次电子发射系数。结果表明空缺的形成,可有效提高二次电子发射系数,其中形成F空缺的MgO晶体的二次电子发射系数最大。 | 李巧芬 屠彦 于金 | 2009 | 真空科学与技术学报2009，29，6： | 6 |
| 2 | γ射线辐照对MgO单晶的点缺陷组态及磁性的影响显示文摘对(100)取向的MgO单晶进行了不同剂量的60Coγ射线辐照,辐照剂量从30 kGy到1 750 kGy。利用同步辐射漫散射技术以及紫外-可见吸收光谱研究了辐照样品的点缺陷情况,并将实验测量的漫散射结果与理论计算结果进行比对,以获得点缺陷组态的信息。利用超导量子干涉仪(Superconducting Quantum Interference Device,SQUID)测量了样品在不同温度下的磁性质。漫散射和吸收光谱的实验结果表明,经γ射线辐照的MgO单晶产生了阴离子弗伦克尔缺陷,并在室温下没有表现出铁磁性,只是在低温下观察到了顺磁信号,且辐照前后样品在零场冷却和加场冷却下的M-T曲线没有变化,说明阴离子空位没有导致MgO的d0铁磁性。 | 曹梦雄 马亚茹 樊聪俐 王兴宇 刘昊 王海欧 周卫平 马春林 谭伟石 | 2016 | 核技术2016，39，10： | 0 |
| 3 | 单斜型二氧化钒材料光电性质的理论研究显示文摘采用原子簇嵌入模式的电荷自洽离散变分法(SCC-DV-X_a-ECM)对单斜型VO_2的电子结构和光电性质进行了计算。计算结果表明,单斜型VO_2带隙宽度为0.4411 eV,费米能级在带隙中间以上0.00365 eV靠近导带处,和实验数据符合得很好。单斜型VO_2的总能(-568.18 eV)比金红石型VO_2(-470.33 eV)小,说明外加能量如升高温度会使单斜型VO_2相变至金红石型VO_2。吸收系数在低频率段和实验情形符合得很好,光电导率在2.5~13.5 eV的变化趋势和其他的理论分析是一致的。 | 王晓中 何捷 刘强 宋婷婷 王玲珑 郭英杰 林理彬 | 2010 | 中国激光2010，37，2： | 0 |
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