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| 1 | 电子封装可靠性:过去、现在及未来显示文摘电子封装是芯片成为器件的重要步骤,涉及的材料种类繁多,大量材料呈现显著的温度相关、率相关的非线性力学行为。相关工艺过程中外界载荷与器件的相互作用呈现典型的多尺度、多物理场特点,对电子封装的建模仿真方法也提出了相应的要求。在可靠性验证方面,封装的失效主要包括热-力致耦合失效、电-热-力致耦合失效等。随着新型封装材料、技术的涌现,电子封装可靠性的试验方法、基于建模仿真的协同设计方法均亟待新的突破与发展。 | 陈志文 梅云辉 刘胜 李辉 刘俐 雷翔 周颖 高翔 | 2021 | 机械工程学报2021，57，16： | 19 |
| 2 | 低阻硅TSV与铜填充TSV热力学特性对比分析显示文摘对低阻硅TSV以及铜填充TSV的热力学性能通过有限元仿真的方法进行对比分析.低阻硅TSV在绝缘层上方以及低阻硅柱上方的铝层区域中凸起最为显著,且高度分别为82 nm和76 nm;铜填充TSV的凸起位置主要集中在通孔中心铜柱的上方,最大值为150 nm.应力方面,低阻硅TSV在绝缘层两侧的应力最大,且最大值为1005 MPa;铜填充TSV在中心铜柱外侧应力最大,且最大值为1227 MPa.另外,两种结构TSV的界面应力都在靠近TSV两端时最大.低阻硅TSV界面应力没有超过400 MPa,而铜填充TSV在靠近其两端时界面应力已经超过800 MPa.综上所述,相比于铜填充TSV,低阻硅TSV具有更高的热力学可靠性. | 邓小英 于思齐 王士伟 谢奕 | 2021 | 北京理工大学学报2021，41，10： | 2 |
| 3 | 基于正交设计和灰色关联的硅通孔互连结构随机振动优化设计显示文摘建立了硅通孔(TSV,through silicon vias)互连结构三维有限元分析模型,对该模型进行了随机振动分析.以TSV互连结构的最大等效应力、最大等效应变、一阶固有频率、二阶固有频率为目标函数,选取TSV高度、TSV直径、微凸点高度和微凸点直径四个结构参数为设计变量进行多目标正交优化设计,结合灰色关联分析法获得了优化设计的最优参数组合,使TSV互连结构的最大等效应力降低4.59%,最大等效应变降低22.56%,并且一阶固有频率增加了4.91%,二阶固有频率增加了4.46%.结果表明,可以将正交试验法与灰色关联分析法相结合应用于TSV互连结构优化设计,对提高TSV互连结构在随机振动条件下的综合性能具有较高的实用性. | 熊国际 黄春跃 梁颖 李天明 唐文亮 黄伟 | 2016 | 焊接学报2016，37，7： | 1 |
| 4 | Low capacitance and highly reliable blind through-silicon-vias(TSVs) with vacuum-assisted spin coating of polyimide dielectric liners显示文摘Low-k and high aspect ratio blind through-silicon-vias(TSVs) to be applied in 'via-last/backside via' 3-D integration paradigm were fabricated with polyimide dielectric liners formed by vacuum-assisted spin coating technique. MIS trench capacitors with diameter of ~6 μm and depth of ~54 μm were successfully fabricated with polyimide insulator step coverage better than 30%. C-V characteristics and leakage current properties of the MIS trench capacitor were evaluated under thermal treatment. Experimental results show that, the minimum capacitance density is around 4.82 n F/cm^2, and the leakage current density after 30 cycles of thermal chock tests becomes stable and it is around 30 n A/cm2 under bias voltage of 20 V. It also shows that, the polyimide dielectric liner is with an excellent capability in constraining copper ion diffusion and mobile charges even under test temperature as high as 125°C. Finite element analysis results show that TSVs with polyimide dielectric liner are with lower risks in Si O_2 interlayer dielectric(ILD) fracture and interfacial delamination along dielectric-silicon interface, thus, higher thermo-mechanical reliability can be expected. | YAN YangYang XIONG Miao LIU Bin DING YingTao CHEN ZhiMing | 2016 | Science China(Technological Sciences)2016，59，10： | 1 |
| 5 | 2.5D硅转接板TSV结构研究显示文摘针对结构参数对TSV可靠性影响不明确的问题,文中采用有限元分析和模型简化的方法,分析了TSV结构在温度循环条件下的应力应变分布,并进一步研究了铜柱直径、SiO 2层厚度以及TSV节距等结构参数对TSV结构可靠性的影响。结果表明,采用文中的方法简化模型后得出的结果拟合度在0.95以上;在TSV结构上施加温度循环载荷时,在SiO 2界面会出现应力集中,而在钝化层中会出现应变增大;改变铜柱直径、绝缘层厚度和TSV节距将显著影响TSV结构的可靠性;减小填充铜的直径、增加SiO 2层的厚度、增加TSV节距,都将有助于减小TSV结构的最大应力。 | 刘建松 林鹏荣 黄颖卓 练滨浩 | 2020 | 电子科技2020，33，1： | 0 |
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