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| 1 | 组分可控的浓缩法制备高锗组分SGOI的研究(英文)显示文摘高Ge组分的SiGe薄膜在应变硅、应变锗以及高速器件的应用前景十分广阔。本文以Si/SiGe/SOI(绝缘体上的硅)结构为初始样品,设计了系统性的氧化浓缩实验,通过大量的分析和参数调整,制备获得了不同组分比的绝缘体上锗硅(SiGe on insulator,SGOI)薄膜样品。结合X射线衍射(XRD)和拉曼光谱(Raman)等测试手段表征了制备样品的晶格质量和元素组分,其中Ge组分最高达到80.5%。综合分析表明:在适当的条件下,Ge组分和浓缩时间线性关系明显,浓缩制备SGOI材料可以做到组分可控性,为相关的进一步研究提供便利。 | 刘旭焱 姬晓旭 王爱华 张帅 秦怡 李根全 | 2014 | 人工晶体学报2014，43，7： | 1 |
| 2 | 锗硅缓冲双轴应变硅材料ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si内部残余应力的显微拉曼实验分析显示文摘应变硅技术是一种被称为延续摩尔定律的技术,是集成微电子技术的热点之一。本文以锗硅缓冲双轴应变硅材料(ε-Si/Ge_(0.3)Si_(0.7)/Ge_xSi_(1-x)/C-Si)为研究对象,采用显微拉曼光谱技术,开展了该多层半导体异质结构内部残余应力的实验力学分析。这是面向多层结构残余应力与表/界面力学行为的多尺度实验力学分析,本文首先简述了该应变硅的制造工艺和超低粗糙度横截面样品的加工方法,并推导了针对锗硅合金拉曼-力学测量修正关系,进而对应变硅样品的表面和横截面进行了显微拉曼力学测量实验,给出了多层异质结构内部的残余应力分布,并以此为基础讨论了多层界面的力学行为。 | 马路路 程翠丽 雷振坤 赵煜乘 仇巍 | 2016 | 实验力学2016，31，3： | 1 |
| 3 | 纳米尺寸高k/Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究显示文摘本文展开了高介电常数(k)栅介质Si_(1-x)Ge_x NMOS场效应管性能的数值模拟研究,基于有限元法,建立了纳米尺寸(栅长=15 nm)NMOS场效应管模型。为了研究栅介质和衬底材料参数变化对器件性能的影响规律,利用数值分析手段,在衬底Si_(1-x)Ge_x中Ge组分x从0到1变化区间,选取不同介电常数的栅介质,且其厚度在一定范围内变化时,综合分析了纳米尺寸NMOS场效应管的转移特性曲线和输出特性曲线。分析表明,在栅介质的k值和厚度一定时,随着衬底中Ge组分x从0逐渐增大增加,器件阈值电压持续减小,直到x为85%时突然变大,而在Ge组分继续增大时,阈值电压又维持减小趋势。为了尽量避免隧穿效应,研究了高k栅介质厚度高于5 nm时的器件特性,结果表明,随着栅介质厚度的减小,器件阈值电压减小,驱动电流则持续增大。 | 刘旭焱 刘赐德 屈重年 海静 卢志文 黄志祥 | 2015 | 人工晶体学报2015，44，12： | 0 |
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