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| 1 | a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展显示文摘a-Si:H薄膜太阳电池由于成本低,适于大规模工业化生产而成为现阶段研究的热点,然而其转换效率低于晶体硅太阳电池。介绍了a-Si:H薄膜太阳电池的结构及原理,总结了目前国内外a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展,并对未来发展前景进行了展望。 | 周冬兰 甘志凯 廖丹 程彩虹 | 2018 | 电源技术2018，42，5： | 2 |
| 2 | 硅异质结太阳电池窗口层性能研究及高效电池制备显示文摘主要研究a-Si:H(p)作为电池的发射极和ITO作为电池载流子收集层的材料性能及结构对HJT电池性能的影响。通过调整a—Si:H(p)材料的掺杂浓度、材料厚度和ITO的氧气,氩气分压、功率等工艺参数,获得工艺参数、材料性能和电池性能之间的关系。借助a-Si:H(p)和ITO工艺优化,电池的填充因子FF达到80.2%,转换效率Eff可达23.05%。 | 谷士斌 张娟 任明冲 杨荣 李立伟 郭铁 | 2018 | 太阳能学报2018，39，11： | 1 |
| 3 | 少子寿命跟踪在异质结电池生产中的应用显示文摘异质结电池是量产的高效晶体硅太阳电池之一,开发简单有效的监控方案是规模化生产的前题.通过监测a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i),a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n^+),TCO/a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/aSi:H(i)/a-Si:H(n^+)三种异质结的有效少子寿命来监控太阳电池生产过程中各层薄膜的沉积质量,追踪电池性能,结果发现,各异质结的隐性开压(impliedVoc),赝填充因子(pFF)等在低于~2ms时,与寿命呈明显的正相关关系,而当少子寿命超过~2ms时,上述电参数变化很小,趋于饱和状态,最终的电池效率也遵循这一规律.这可以解释为硅材料在非平衡态下的费米能级之差随着表面复合的减少趋于极大值所致.研究表明,采用少子寿命跟踪的方法,可以判断非晶硅层的质量、透明氧化物薄膜沉积过程中对非晶硅的轰击损伤、分析和预测电池性能,同时可监控产线的稳定性和异常情况. | 李锋 史金超 杨伟光 于波 宋登元 于威 | 2017 | 中国科学:技术科学2017，47，2： | 0 |
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