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| 1 | 功率MOSFET寿命模型综述显示文摘MOSFET是实现电力电子装置功能的核心器件,但其寿命短是制约电力电子系统可靠性的关键因素。由老化造成的MOSFET失效分为封装失效和参数漂移失效,前者由MOSFET制造工艺及材料导致的缺陷在工作环境中恶化而产生,后者为器件在使用过程中其内部微观退化机制在宏观参数的体现。对目前已有的MOSFET寿命相关的研究成果进行总结,分析了MOSFET的各类失效模式,并建立了各类失效模式下MOSFET寿命模型;并进一步总结了各类失效模式下寿命模型的失效判据及其各类寿命预测模型实验验证方法。 | 查晓明 刘悦遐 黄萌 刘懿 | 2016 | 电源学报2016，14，6： | 4 |
| 2 | 功率MOSFET管的热疲劳寿命预测显示文摘通过ANSYS有限元分析软件对TO-263器件功率MOSFET管进行电-热-机械耦合分析,并对其热疲劳寿命作出预测。首先进行了瞬态热分析,得出了芯片的热通量变化图,在此基础上进行模拟并通过Coffin-Manson定律预测功率MOSFET管的热疲劳寿命。结果表明,TO-263器件功率MOSFET管的热疲劳失效循环总数为6 113。 | 刘培生 黄金鑫 卢颖 杨龙龙 | 2015 | 电子元件与材料2015，34，1： | 3 |
| 3 | 倒装芯片互连结构中电流聚集研究显示文摘由于电流聚集,在倒装芯片封装技术中,电迁移已经成为一个关键的可靠性问题。分析了电迁移力和电迁移中值失效时间,采用二维模型研究了电流密度和焦耳热在倒装芯片互连结构中的分布以及影响电流密度和焦耳热分布的因素。结果表明铝线(Al)和凸点下金属层(UBM)的厚度对电流密度和焦耳热分布有很大的影响。 | 刘培生 杨龙龙 卢颖 刘亚鸿 | 2015 | 电子元件与材料2015，34，3： | 2 |
| 4 | HLQFP216封装产品的翘曲模拟显示文摘为了分析封装产品材料及模型塑封后固化过程中温度对封装产品的翘曲影响,运用ANSYS workbench中的mechanical模块对HLQFP216进行翘曲变形方面的有限元仿真模拟分析。结合封装过程中的不同参数,对固化不同温度点进行封装翘曲预测。最后对HLQFP翘曲用shadow moire测量的翘曲值与预测值进行比较,表明其在合理的误差范围内。而后对比了两种不同的塑封料,其材料参数主要是热膨胀系数(CTE)有所差异,仿真结果表明热膨胀系数越小,翘曲变形得越小一点。 | 高峰 黄金鑫 缪小勇 戴颖 | 2015 | 中国集成电路2015，24，11： | 0 |
| 5 | 苛刻环境下多芯片FC-PBGA器件板级温循可靠性研究显示文摘研究了宇航用多芯片扁出型倒装芯片球栅(FC-PBGA)器件在温度循环下的板级可靠性。通过宏观形貌观察、微观结构演变等手段对温循后的器件进行了分析,并利用有限元仿真对器件的疲劳寿命进行了评估。研究结果表明,经温度循环后FC-PBGA器件表面三防漆出现起皮现象,但封装组件未出现失效故障。器件中倒装芯片的布局对温度循环后危险焊点的位置具有显著的影响。危险焊点在温度循环后产生了明显的塑性变形,在靠近芯片端的界面处形成了显微裂纹。通过有限元仿真结合修正的Coffin-Manson方程计算得到了组件的温度循环疲劳寿命约为1002次,具有较好的可靠性,为塑封器件的高可靠性应用提供了参考。 | 朱媛 田爽 张振越 | 2023 | 电子产品可靠性与环境试验2023，41，1： | 0 |
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