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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计显示文摘提出了一种新型TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件,与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入,即在靠近源端一侧采用较高注入剂量,在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值,提高了击穿电压。利用SILVACO TCAD软件分析了各个参数对击穿电压和比导通电阻的影响,与普通的TRIPLE RESURF结构相比,在比导通电阻不变时,击穿电压则提高了15 V。	颜世朋薛智民王清波	2017	电子设计工程2017，25，12：	1

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