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1全化学溶液法制备SrTiO_3缓冲层显示文摘化学法制备SrTiO3薄膜成本低、效率高,适合用于YBa2Cu3O7-δ(YBCO)涂层导体的缓冲层。采用全化学溶液沉积法在Ni-5W金属基带上外延生长了SrTiO3(STO)缓冲层薄膜。以乙酸盐、钛酸丁酯为原料配制均匀稳定的STO种子层、LaxSr1-xTiO3种子层和STO缓冲层前驱溶液。研究了STO种子层薄膜厚度对在STO/Ni-5W(200)上沉积STO外延薄膜性能的影响,结果表明,在880℃烧结温度下制备的3层STO种子层上可以制备出表面光滑平整、具有(200)择优取向的STO缓冲层。尝试将La元素掺入STO中制得稳定的LSTO前驱液,在LSTO/Ni-5W结构上制备了具有(200)择优取向的STO缓冲层薄膜,可作为YBa2Cu3O7-δ涂层导体的缓冲层。罗清威 2014科技导报2014,32,25:0
2烧绿石结构La_2Zr_2O_7薄膜的外延生长研究显示文摘利用化学溶液沉积(CSD)法在双轴织构的Ni W基带上制备了烧绿石结构的La2Zr2O7(LZO)氧化物薄膜,并研究了热处理过程中升温路线对其外延生长行为的影响.利用X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对不同热处理路线下所制得的LZO薄膜的织构和表面形貌进行了表征.结果表明:升温速率对LZO薄膜的织构度以及表面形貌影响较大.可以认为通过选择合适的热处理路线,利用CSD法可以制得具有锐利织构度、表面平整且无明显缺陷的LZO薄膜,同时,在最佳热处理条件下制得的LZO薄膜适合用作涂层导体缓冲层.冯建情 王耀 李成山 于泽铭 金利华 王辉 许征兵 张平祥 2015西安文理学院学报(自然科学版)2015,18,4:0
3高效率制备超导涂层导体SmBiO_3缓冲层显示文摘为了缩短高温超导涂层导体缓冲层薄膜制备周期,采用自开发的前驱溶液,以乳酸为溶剂,硝酸钐和硝酸铋为溶质,在应由表面氧化外延法所得的衬底(NiO(l00)/NiW)上,用化学溶液沉积快速制备了SmBiO_3缓冲层薄膜,研究成相温度对SmBiO_3薄膜的影响;在SmBiO_3薄膜上沉积YBa_2Cu_3O_7-δ超导层,检验其效用.研究结果表明:在798.5℃下制备的SmBiO_3缓冲层薄膜平整致密,并且高度织构,缓冲层薄膜制备周期缩短到2h以内;在SmBiO_3上所沉积的超导层薄膜超导转变温度为89K,超导临界电流密度为1.46MA/cm2(77K、0T),达到了某些电力应用要求;该SmBiO_3薄膜制备方法可用于高温超导涂层导体的快速制备.朱晓垒 蒲明华 张红 赵勇 2017西南交通大学学报2017,52,3:0
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