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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	增强型AlGaN/GaN HEMT势垒层优化设计显示文摘为研究Al_xGa_(1-x)N势垒层的厚度和Al组分变化对增强型HEMT器件电学特性的影响,文中使用ATLAS软件,利用二元有限元方法,设计了带AlGaN缓冲层的P-GaN栅增强型AlGaN/GaN HEMT的基本结构,提取了器件势垒层厚度和Al组分渐变时的电学特性,仿真结果得出器件的势垒层厚度范围为取15~20 nm,Al组分范围取0.2~0.25时器件特性最优。	雷亮郭伟玲都帅吴月芳	2018	电子科技2018，31，8：	2

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