|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | Impact of TID on response to pulsed X-ray irradiation in the bipolar operational amplifier显示文摘Groups of a typical operational amplifier–μA741 were irradiated in a cobalt unit,each group accumulating a different total ionizing dose(TID).The results showed that the TID caused power consumption current and slew rate(SR)to degenerate in ultra-linearity,owing to a severe reduction in the current gain of the internal LPNP transistors.Pulsed X-ray irradiation experiments were carried out on theμA741 groups with different values,and the results revealed that the impact on the response to the pulsed X-ray irradiation was greater when the devices absorbed more TID.The mechanism for this is explained on the basis of the circuit construction of theμA741;the sensitive parameters of the circuit were obtained via simulation on SPICE.The simulation results additionally showed that if the sensitive parameters were optimized,the duration of interruption caused by the pulsed X-ray irradiation would be reduced significantly.In addition,several proposals are provided for hardening the devices. | LI Rui Bin WANG Gui Zhen CHEN Wei MA Qiang LIU Yan LIN Dong Sheng YANG ShanChao BAI XiaoYan QI Chao JIN XiaoMing | 2015 | Science China(Technological Sciences)2015，58，2： | 2 |
| 2 | 样本空间排序法评价瞬时辐照无失效数据研究显示文摘为降低瞬时辐照抽样检验中现行经典非参数法的评价结果的保守性,引入样本空间排序法,从理论和实例两方面计算无失效数据的生存概率置信下限,并与经典非参数法进行对比。结果是,样本空间排序法不仅提高生存概率的置信下限,还增大这些置信限所对应的剂量率范围。该研究结果表明样本空间排序法提高了数据利用率,降低了保守性,可减少试验成本。 | 白小燕 林东生 王桂珍 李瑞宾 马强 齐超 | 2013 | 强激光与粒子束2013，25，10： | 2 |
| 3 | 瞬时电离辐射敏感开关设计及效应分析显示文摘采用瞬时辐射敏感开关可避免电子器件在瞬时电离辐射环境下发生闩锁而失效或损毁。性能较好的开关须满足灵敏度高、抗辐射、抗干扰、驱动能力强等要求。本工作在RC延时电路的基础上设计了放电型和充电型两种辐射敏感开关,并通过瞬时电离辐射实验对两种开关的敏感度、关断时间稳定度、抗干扰能力进行了测试。结果表明,放电型开关的关断时间稳定度和抗干扰能力不及充电型开关,且探测单元采用晶闸管较采用二极管或三极管综合性能好;充电型开关更适合用于多次脉冲辐射环境,但开关中的缓冲单元输入端不能含有静电保护电路,否则影响开关关断时间。 | 李瑞宾 陈伟 王桂珍 林东生 齐超 白小燕 杨善潮 | 2014 | 原子能科学技术2014，48，S1： | 0 |
| 4 | SRAM单粒子锁定效应电路级防护设计研究显示文摘高密度CMOS工艺SRAM对单粒子锁定极端敏感的特性使其在空间应用时必须采取相应的防护策略。对于抗辐照能力较弱的CTOS,电路级防护成为提高系统可靠性的一项重要内容。利用激光单粒子效应试验装置,对CYPRESS公司的CY62167DV30LL型SRAM开展了一系列单粒子锁定效应试验。通过对试验结果进行线性拟合,计算出该款SRAM维持电压为1.5~1.6 V,维持电流为9.9~11.2 mA。根据维持电流、维持电压、工作电流、工作电压,对能否采用电路级防护做出判断。提出了电源限流和分压电阻两种电路级防护方法,并定量计算出电源限流取值和分压电阻取值范围。以往文献中电阻只是作为锁定被触发后限流的一种手段,并不能阻止器件发生锁定,本研究发现在满足一定条件下分压电阻可达到退出锁定的目的。两种防护方法均通过脉冲激光试验进行了验证。 | 吴昊 朱翔 韩建伟 上官士鹏 马英起 李悦 赵旭 杨涵 | 2022 | 原子能科学技术2022，56，4： | 0 |
| 5 | 典型双极能隙基准源的瞬时电离辐射效应分析显示文摘分析了典型双极型二管和三管能隙基准源受瞬时电离辐射后的输出响应,以及以双极能隙基准源为基本电路的集成稳压器的瞬时辐射效应,并对含典型三管能隙基准源的集成稳压器L7805芯片进行了瞬时电离辐射实验验证。实验结果表明,基准源受辐射后输出电平降至零电平附近,致使稳压器输出降低,并且电平恢复时间与剂量率成对数关系,与理论分析结果一致。 | 李瑞宾 林东生 陈伟 王桂珍 杨善潮 白小燕 金晓明 | 2014 | 微电子学2014，44，5： | 0 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员