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| 1 | 基于碲化铋纳米片的全光可控调Q光纤激光器显示文摘通过光学自组装方法制备了碲化铋可饱和吸收器件,并获得了该器件的非线性光学响应特性。将可饱和吸收体引入掺铒光纤激光器中,在抽运功率为170mW时,获得中心波长为1564.94nm,脉冲宽度为2.91μs的激光输出。通过外加连续光对非线性吸收器件进行调制,实现了脉冲持续时间和重复频率可调控的调Q光纤激光输出。 | 金雨 杜林 蒋国保 赵楚军 | 2017 | 中国激光2017，44，7： | 3 |
| 2 | 衬底温度对Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜生长影响的研究显示文摘文章利用分子束外延方法在蓝宝石衬底上制备Bi_2Se_3拓扑绝缘体薄膜,研究衬底温度对薄膜生长质量的影响。首先对370、380、390、400℃衬底温度下生长的Bi_2Se_3薄膜样品,利用反射高能电子衍射仪(reflection high-energy electron diffraction,RHEED)、原子力显微镜(atomic force microscope,AFM)进行表面形貌的表征;利用X射线衍射仪(X-ray diffraction,XRD)和X射线能谱仪(energy dispersive X-ray spectroscopy,EDS)对样品的晶相和化学组分进行分析筛样。结果表明,衬底温度为390℃时制备的Bi_2Se_3薄膜表面平整、成分接近理想配比、结晶质量较好。最后利用综合物性测量系统测量了最佳衬底温度制备的样品的电学性质,表明样品为n型拓扑绝缘体薄膜。 | 王军 王安健 杜洪洋 徐伟 宋玲玲 仇怀利 李中军 | 2017 | 合肥工业大学学报(自然科学版)2017，40，11： | 1 |
| 3 | CVD制备Bi2Se3纳米片薄膜及热电性能研究显示文摘采用化学气相沉积法(CVD)在云母基片上制备了由高结晶度的纳米片组成的Bi2Se3薄膜。系统研究了基片不同温区、沉积时间及补偿Se对薄膜结构、形貌及热电性能的影响。研究结果表明,在加热温度为520℃、加热时间为30min条件下制备出了由三角形纳米片组成的Bi2Se3薄膜,纳米片边长为10μm,薄膜厚度为1.25μm。在室温时,Bi2Se3薄膜的电导率为0.9S/cm,seebeck系数为-77.8μV/K。 | 陈上峰 李爽 王凯 赵国财 仲德晗 孙乃坤 | 2019 | 沈阳理工大学学报2019，38，2： | 0 |
| 4 | 电化学沉积制备Bi_(2)Se_(3)薄膜及其光电性能研究显示文摘作为量子物质的奇异态,拓扑绝缘体在新一代电子和光电子器件领域得到了广泛应用。因其金属表面态共存和较窄的带隙(0.3 eV),导致Bi_(2)Se_(3)具有超快电荷传输能力和红外光吸收能力,使其成为新体制光电器件的研究热点。采用恒电位沉积法在酸性电解质溶液中ITO基底上进行电化学沉积Bi_(2)Se_(3)薄膜,通过控制变量法确定Bi_(2)Se_(3)薄膜的生长条件是溶液pH值为0.2~0.8、沉积电位-0.15 V vs.Ag/AgCl和沉积时间1 h;同时,采用场发射透射电子显微镜、X射线衍射仪等表征技术对Bi_(2)Se_(3)薄膜的结构与形貌进行了研究。最后,研究了基于Bi_(2)Se_(3)薄膜光电探测器的性能,并考察了退火工艺对其光响应特性影响规律,测试结果表明退火后Bi_(2)Se_(3)薄膜在近红外波段具有良好的光电性能,响应度和比探测率分别约为6.3×10^(-5)A/W和2.9×10^(6)cm·Hz 0.5/W。 | 华奕涵 冯双龙 | 2023 | 功能材料2023，54，1： | 0 |
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