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| 1 | 含色散负折射率缺陷一维Sinc函数型光子晶体的光学传输特性显示文摘应用传输矩阵法对含色散负折射率缺陷一维sinc函数型光子晶体的光学传输特性进行了研究。结果表明:含色散负折射率缺陷的sinc函数型光子晶体比含同样缺陷的余弦函数型光子晶体具有更宽阔的光子禁带;该光子晶体的禁带宽度随着介质层折射率nB(0)、nA(0)或半周期厚度的增大迅速收缩变窄,缺陷模消失;当光波入射角增大时,禁带宽度变宽,缺陷模与禁带一起红移;计算还发现该禁带结构对色散负折射率缺陷层的位置变动十分敏感;但是,缺陷层厚度的变化不会改变禁带的位置和宽度,此时缺陷模会随着缺陷层厚度的增大向着禁带中心移动。这些结论对一维函数型光子晶体的设计具有重要参考意义。 | 王筠 刘丹 刘勇 李建明 靳海芹 | 2014 | 中国激光2014，41，4： | 8 |
| 2 | 新型线性函数光子晶体的光子二极管显示文摘研究一维线性函数光子晶体的透射特性及光正入射和反入射时的电场分布特性.结果表明,线性函数光子晶体可放大或衰减光的电场强度. | 张斯淇 吴向尧 刘晓静 巴诺 王婧 李宏 马季 董赫 陈万金 尹新国 郭义庆 | 2013 | 吉林大学学报(理学版)2013，51，5： | 6 |
| 3 | 色散缺陷对Sinc函数型光子晶体带隙的影响显示文摘利用传输矩阵法及对色散缺陷层采用洛伦兹振子模型,研究了一维含色散缺陷的Sinc函数型光子晶体的光子禁带和色散缺陷模,计算了该周期结构的复有效折射率。结果表明,加入缺陷层后可获得宽阔的光子禁带;缺陷层引入色散后在中心圆频率附近色散缺陷模出现;随着振子强度的增大,增益性缺陷模圆频率发生阶跃式移动,其透射率显著增大,而吸收性缺陷模的透射率显著减小,此时缺陷模处的色散曲线有一个近乎垂直的斜率,此处的群速度将大大降低;增益性缺陷层基底折射率对缺陷模频率影响显著;缺陷层位于周期结构中心层时缺陷模频率最低、透射率最大。增大入射角使得缺陷模红移,增益性缺陷模在特殊入射角处透射率会出现千倍增益。 | 王筠 | 2015 | 中国激光2015，42，4： | 5 |
| 4 | 峰值折射率对正弦型函数光子晶体缺陷模的影响显示文摘为了分析峰值折射率对1维正弦型函数光子晶体缺陷模的影响,首先对折射率按正弦规律变化的介质进行离散化,然后应用传输矩阵法计算了1维光子晶体(AB)mC(BA)m的透射谱,分析了各介质层的折射率峰值对该结构1维正弦型函数光子晶体缺陷模的影响。结果表明,随着峰值折射率的增大,缺陷模红移,且频率越高缺陷模红移现象越明显;低折射率介质的峰值折射率对缺陷模频移的影响比较显著。这一结果对光子晶体的设计有一定的参考价值。 | 熊翠秀 邓杨保 邓曙光 王景艳 | 2014 | 激光技术2014，38，6： | 4 |
| 5 | 新型一维线性函数光子晶体电场分布显示文摘研究一维线性函数光子晶体的透射特性,分析不同周期数和光学厚度对电场分布的影响,得到一些不同于常规光子晶体结论,当介质层B和A折射率分布函数为线性增加时,线性函数光子晶体透射率可以远大于1;随着周期数N的增加,其电场强度最大值明显增加,通过改变周期数N就能改变光在函数光子晶体中的电场强度的放大倍数.该结论为光子晶体的制备和应用提供了理论方法和思路. | 张斯淇 巴诺 吴向尧 刘晓静 王婧 李宏 郭义庆 | 2013 | 吉首大学学报(自然科学版)2013，34，2： | 3 |
| 6 | 拓扑绝缘体与Sinc函数型光子晶体分界面处Kerr效应和Faraday效应研究显示文摘应用传输矩阵法和等效介质理论,研究了拓扑绝缘体与Sinc函数型光子晶体分界面上的Kerr效应和Faraday效应,结果显示,在某些频率处,两种线极化波的反射波极化平面都可能会发生近似± π2的旋转,其附近周期结构的等效介电常数也有突变。进一步研究还发现,透射波极化面的旋转角随频率的变化规律与周期结构(BAB)n等效磁导率随频率的变化规律类似。以上结果都说明,在拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Kerr效应和Faraday效应与入射波频率、周期结构的介电常数和磁导率等关系紧密。 | 王筠 | 2020 | 中国激光2020，47，10： | 3 |
| 7 | 函数型光子晶体表面的光自旋霍尔效应显示文摘应用传输矩阵法研究含缺陷层的函数型光子晶体表面的光自旋霍尔效应,数值计算和分析研究发现,通过调节入射线偏振光的偏振角、入射角、函数型光子晶体周期数、缺陷层光学厚度及入射光波圆频率等,可以实现反射光波和透射光波相对于入射点的横向位移控制。在数值计算中还发现通过调节相应参量可以实现百微米量级透射光波的横移,这些工作可为基于自旋的量子通信以及新型光电器件研究提供理论参考。 | 王筠 | 2021 | 激光与光电子学进展2021，58，23： | 3 |
| 8 | 峰值折射率对正弦型函数光子晶体带隙的影响显示文摘对折射率按正弦规律变化的介质进行离散化处理,采用传输矩阵法计算了一维正弦型函数光子晶体的透射率,分析了各层介质的折射率峰值对带隙结构的影响。结果表明,随着高折射率介质的峰值折射率增大,主禁带增宽且红移;随着低折射率介质的峰值折射率增大,主禁带变窄且红移;当高低折射率介质都是正弦型函数介质时,与常规光子晶体相比,平均折射率之差增大时,主禁带增宽,反之主禁带变窄。这一结果对光子晶体的设计具有一定的指导意义。 | 熊翠秀 邓杨保 邓曙光 | 2014 | 激光与红外2014，44，8： | 2 |
| 9 | 一维sinc函数型光子晶体塔姆态的带隙研究显示文摘应用传输矩阵法推导得到横磁波(TM)波斜入射到一维sinc函数型光子晶体时的反射系数、透射系数和电场、磁场表示式,在此基础上对由两个半有限光子晶体组成的异质结进行了细致全面的数值计算与分析,结果表明该异质结两侧的半有限光子晶体相当于负介电常数材料与负磁导率材料,满足匹配条件时塔姆态出现;通过减小两种介质层的光学厚度之比可以显著加宽横磁波(TM波)和横电波(TE波)的第一禁带宽度,同时第一禁带位置蓝移;当两种介质层折射率以相同倍率增大时,TM波和TE波的第一禁带宽度变化趋势相反,前者逐渐变宽,后者收缩变窄,第一禁带位置均发生红移;周期数和入射角对该异质结透射谱也有显著影响。 | 王筠 | 2014 | 激光与光电子学进展2014，51，10： | 2 |
| 10 | Sinc函数型光子晶体非线性微腔的光学双稳态显示文摘运用非线性传输矩阵法对Sinc函数型光子晶体非线性微腔光学双稳态特性进行了理论推导与数值分析。结果表明,随着周期数的增大,或者非线性微腔位置的变动,微腔内光场强度分布不同,实现的双稳态阈值也不同;随着非线性微腔线性折射率的增大,微腔内场强减小,双稳态阈值趋于增大。 | 王筠 冯国强 刘丹 李建明 吉紫娟 肖明 肖飞 | 2016 | 激光与光电子学进展2016，53，1： | 1 |
| 11 | 一维变频光子晶体透射特性研究显示文摘本文提出一种新型一维变频光子晶体.给出了一维变频光子晶体透射率推导过程,得到一维变频光子晶体透射率计算公式,并与常规光子晶体做了比较.得到了一些新的结论,有助于设计新型光学器件. | 雷天宇 吴向尧 马季 李宏 | 2015 | 吉林师范大学学报(自然科学版)2015，36，4： | 1 |
| 12 | 基于传输矩阵方法的一维光子晶体禁带结构分析显示文摘利用传输矩阵的方法,研究了一维光子晶体中光波的传输特征。通过数值计算,讨论了光子晶体的介质的层数、介质层的厚度以及介电常数对光子晶体禁带结构特征的影响,这对于光子晶体的设计具有一定的参考作用。 | 赵华 | 2016 | 黑龙江科学2016，7，18： | 1 |
| 13 | 新型线性函数光子晶体光子二极管的研究显示文摘本文运用费马原理和传输矩阵方法研究线性函数光子晶体,通过计算给出了光正入射和反入射时的透射特性及电场分布.研究发现:线性函数光子晶体的透射特性不同于常规光子晶体,并且能够有效的放大或衰减光的电场强度,这为设计光子放大器件和光子二极管提供了重要的理论依据. | 马季 吴向尧 刘晓静 巴诺 张斯淇 李宏 郭义庆 | 2014 | 吉林师范大学学报(自然科学版)2014，35，2： | 1 |
| 14 | 含Kerr缺陷对称型函数光子晶体的色散光学双稳态显示文摘运用非线性传输矩阵法对Sinc函数型光子晶体非线性微腔光学双稳态进行了理论推导与数值分析。结果表明:随着周期数的增大,双稳态阈值趋于减小;随着微腔线性折射率的增大,或者微腔偏离周期结构中心越远,双稳态阈值趋于增大,这些规律与常规光子晶体相类似;然而,函数型光子晶体可以通过选择适当的介质层折射率分布函数,运用对称性结构就可以实现比常规光子晶体更宽阔的光子带隙,同时隧穿模频带更狭窄且附近场分布高度局域,使得实现光学双稳态较常规光子晶体更容易,双稳态阈值更低。 | 王筠 刘丹 靳海芹 李建明 吉紫娟 肖明 肖飞 | 2016 | 光电子技术2016，36，1： | 1 |
| 15 | 一维液晶缺陷阶梯型Thue-Morse序列光子晶体的电控特性显示文摘文章设计了一维向列相液晶缺陷阶梯型Thue-Morse序列第四代光子晶体结构,利用传输矩阵法数值计算该结构的透射谱,并与传统型Thue-Morse序列第四代光子晶体结构的透射谱相比较,最后探究缺陷模及光场分布分别与夹角?的变化关系。结果表明:一维向列相液晶缺陷阶梯型Thue-Morse序列第四代光子晶体结构的透射谱存在光子禁带。当夹角?逐渐变大时,缺陷模波长的空间位置发生蓝移,在夹角?(0?-90?)变化时,缺陷模波长的可控变量为104 nm。在该结构的空间位置z=1720 nm处,光场分布出现局域化;并且随夹角?的变大,光场强度是一个先增大后减小的变化过程。 | 廖昆 徐海龙 张小龙 | 2018 | 萍乡学院学报2018，35，6： | 0 |
| 16 | 缺陷对一维线性函数光子晶体传输特性的影响显示文摘采用传输矩阵法计算光在掺杂缺陷的线性函数光子晶体中的传输特性,与不包含缺陷的结构进行比较.研究结果表明,在禁带中形成缺陷模,其强度不仅与缺陷层位置有关,而且与缺陷层折射率的变化有关,并随着缺陷层位置的移动而变弱;缺陷层位置和缺陷折射率影响着场强分布. | 李宏 张斯淇 吴向尧 刘晓静 巴诺 王婧 郭义庆 | 2013 | 吉首大学学报(自然科学版)2013，34，5： | 0 |
| 17 | 含Kerr缺陷函数型光子晶体低阈值双稳态的对比研究显示文摘运用非线性传输矩阵法对比研究含Kerr缺陷余弦函数型和Sinc函数型光子晶体的光学双稳态.结果表明,选取中心层为Kerr缺陷层的对称结构可以大大降低双稳态阈值;在缺陷层光学厚度不变的前提下,减小中心缺陷层线性折射率而增大两侧介质层周期数均可以实现更低双稳态阈值;研究还表明,在介质层光学厚度相同的前提下,介质层折射率分布函数选取余弦函数形式较Sinc函数形式能够实现更低阈值. | 王筠 | 2017 | 华中师范大学学报(自然科学版)2017，51，1： | 0 |
| 18 | 一维线性函数磁振子晶体显示文摘利用平面波展开法计算了一维线性函数磁振子晶体和常规磁振子晶体自旋波的带结构.计算结果表明,函数磁振子晶体与常规磁振子晶体的带结构有明显区别,且一维线性函数磁振子晶体带隙的数目和宽度均随磁参数的变化而发生改变.因此,可以通过改变参数对一维函数磁振子晶体的带结构进行调节. | 王泽森 杨慧 曹永军 刘艳玲 松林 | 2017 | 内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)2017，46，3： | 0 |
| 19 | 关于一维函数型左右手光子晶体的研究显示文摘利用光学传输矩阵方法研究了正折射率和负折射率材料交替组成的一维函数型光子晶体的能带结构和缺陷模特性.通过改变正折射率和负折射率的取值,发现随着正折射率值的增大缺陷模减弱,禁带变宽且数目增多;随着负折射率值绝对值的减小,缺陷模减弱且数目减少,禁带数目减少.该结论对光子晶体的设计,如滤波器、光学开关等具有重要理论意义和应用价值. | 吴坤朋 马季 张斯淇 王婧 李宏 刘晓静 巴诺 郭义庆 | 2013 | 吉林师范大学学报(自然科学版)2013，34，2： | 0 |
| 20 | 增益介质填充阶梯型光子晶体的光学特性显示文摘利用传输矩阵法研究掺铒玻璃填充一维阶梯型光子晶体局域模的光学特性.首先建立该结构的物理模型,然后利用传输矩阵法数值计算该结构的透射谱,最后讨论该局域模与增益系数、掺铒玻璃介质层宽度的变化关系;空间位置的光场分布与增益系数的变化关系.结果表明:随着增益系数的增大,局域模波长的位置没有变化,但局域模强度逐渐增大.局域模波长随介质层宽度的增大,而向长波方向移动;宽度为偶数时,局域模强度随介质层宽度的增大而增强;宽度为奇数时,局域模强度随介质层宽度的增大而减弱.空间位置的光场分布呈现出局域现象,光场分布主要在缺陷层和缺陷层的邻近层;随着增益系数的增大,光场局域现象越来越强. | 曾瑞淮 王泽清 | 2016 | 赣南师范学院学报2016，37，3： | 0 |
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