维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

共被期刊论文引用了1次 您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Li/Zn/Sn掺杂CuInO_(2)的缺陷形成能计算显示文摘研发具有P型导电性能的透明导电氧化物(TCO)是拓展TCO应用必须面对的重要课题。采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Li/Zn/Sn掺杂替代In/Cu的CuInO_(2)的缺陷形成能以及缺陷电荷转变能级。结果表明:施主类缺陷中的LiCu可以实现N型导电性能,而ZnCu、SnIn、SnCu由于较高的缺陷形成能和较深的跃迁能级,都无法实现N型导电性能;在受主类缺陷中,在富氧环境下,Zn替代In将成为CuInO_(2)这种TCO材料理想的受主缺陷。	谭敏王栋张金省方志杰	2023	当代化工2023，52，11：	0

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费