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| 1 | 阱宽对GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱红外探测器光谱响应的影响显示文摘采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了两种不同结构参数的GaAs/Al0.3Ga0.7As红外量子阱材料,利用傅里叶光谱仪,分别对阱宽为4.5与5.0nm的样品进行77K液氮温度下光谱响应测试及室温光致发光(PL)光谱测试,样品的峰值响应波长分别为8.39、7.69μm,与根据薛定谔方程计算得到的峰值波长8.92、8.05μm的误差分别为6.36%、4.70%。对吸收峰向高能方向发生漂移的现象进行了分析讨论,认为势阱变窄时阱中的应力作用较强是导致峰值波长红移的原因,而与GaAs阱中进行适度Si掺杂无关。PL实验结果与理论计算相符合,表明增加阱宽是量子阱带间跃迁能量升高的原因。据此可实现对量子阱能级的微调,从而满足对不同波长探测的需要。 | 胡小英 刘卫国 | 2013 | 光电子.激光2013，24，3： | 4 |
| 2 | Al组分对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱红外探测器峰值响应波长的修饰显示文摘为了确定量子阱红外探测器(QWIP)峰值响应波长与势垒中Al组分的关系,建立微观结构表征与宏观特性的关系,设计不同组分含量的实验样品,对样品进行相应的测试,分析探讨了Al组分与理论峰值波长的关系。利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长GaAs/AlxGa1-xAs量子阱材料,分别制备出势垒中Al组分为0.23、0.32的1#、2#样品。用傅里叶光谱仪分别对其进行77K液氮温度下响应光谱测试及室温光致荧光(PL)测试。响应光谱结果显示,1#、2#样品峰值响应波长分别为8.36、7.58μm,与由薛定谔方程计算得到的峰值波长9.672、7.928μm的误差分别为15.6%、4.6%。利用高分辩透射扫描电镜(HRTEM)对样品进行分析发现,GaAs与AlGaAs晶格的不匹配及量子阱材料生长过程精度控制不够是造成1#样品误差较大的主要原因,说明势垒中Al组分x减小致使量子阱中的子带间距离逐渐缩小,导致峰值响应波长红移。PL实验结果与理论计算相符合,说明改变势垒中Al组分x可实现QWIP峰值波长的微调。 | 胡小英 刘卫国 周顺 陈智利 | 2013 | 光电子.激光2013，24，4： | 3 |
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