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    题名 作者 年代 出处 被引量
1Promising electroplating solution for facile fabrication of Cu quantum point contacts显示文摘在这篇文章,我们在制造和一个新奇、电气化学地帮助的机械地可控制的裂缝连接(EC-MCBJ ) 准备的 Cu 量点接触的运输大小上报导方法。由采用影印石版术和湿蚀刻的过程,推迟了电极对在 Si 微芯片上成功地有图案、制作。而非采用一个酸 Cu electroplating 答案,一个新奇碱的 electroplating 答案被开发并且利用了建立在电极对之间的 Cu nanocontacts。典型地,同样制作的 Cu nanocontacts 的宽度被发现比 18 nm 小。很多 Cu 量点接触然后被造家的 MCBJ 安装生产并且描绘。除了常规直方图,在山峰趋于与增加传导力在振幅减少的地方,传导力直方图的一种异常类型,展出不同山峰振幅,被观察。通过最大值的统计分析 Si 微芯片,和理论计算的许可的弯曲,我们证明我们的碱的 Cu electroplating 答案负担得起与随后的 MCBJ 操作兼容的 Cu nanocontacts,它为 Cu 量点接触的制造是必要的。当复杂电子横梁平版印刷术没被要求, EC-MCBJ 方法快、简单、划算。而且,它是可能的对从他们的各自的 electroplating 答案的各种各样的金属的量点接触的制造和描述合适。Yang Yang Junyang Liu Jueting Zheng Miao Lu Jia Shi Wenjing Hong Fangzu Yang Zhongqun Tian 2017Nano Research2017,10,10:2
2Unexpected current-voltage characteristics of mechanically modulated atomic contacts with the presence of molecular junctions in an electrochemically assisted-MCBJ显示文摘Yang Yang Junyang Liu Shi Feng Huimin Wen Jinghua Tian Jueting Zheng Bernd Schollhorn Christian Amatore Zhongning Chen Zhongqun Tian 2016Nano Research2016,9,2:1
3温控/光控片上纳米裂结显示文摘由于分子尺寸小、可化学合成、与生物组织兼容等显著优点,以有机小分子为核心的单分子器件引起了人们的广泛关注,单分子器件有望成为硅基电子器件的一个重要的互补发展方向.已报道构筑单分子电子回路的大部分方法程序繁琐,且无法在平面基底上实时调控电极间的间距.本工作采用机械切割结合电化学腐蚀的方法来制作纳米电极,通过控制施加在阴极和阳极之间的电压,并实时监测通过被腐蚀的金线的电流的大小,可以获得针尖状与分子大小匹配的纳米电极.进一步利用热胀冷缩的原理,采用比金的热膨胀系数小很多的材料作为基底,实现了环境温度对电极间距离的调控,即通过改变环境温度实现了可重复操作的电极间的连接及断开.在此温控基础之上,进一步实现了利用光强更为地精密调控电极间的距离,调控的精度可以达到原子级别.实验结果表明,我们制作的温控/光控片上纳米电极无需借助高精尖仪器,就可以实现对电极之间的距离的精密控制,其平面基底构型,为单分子电子器件的研究提供了有助于片上器件集成的新方法.尹凯凯 郭晨阳 倪立发 赵智凯 LEE Takhee 向东 2020原子与分子物理学报2020,37,5:0
4热致单晶界结断裂制备悬空金属纳米间隙电极对(英文)显示文摘纳米尺度分子器件是最有可能实现超高密度集成电路的途径之一,而纳米间隙电极对的制备是分子器件的构筑基础.本文利用热处理诱导晶间断裂现象来进行纳米间隙电极对的构筑.通过低温热处理过程实现单个金晶界结的断裂,使其从晶界结转化为悬空纳米间隙电极对.所制备的纳米间隙电极对的间隙尺寸可达到亚5纳米,采用传统的微纳米加工方法很难实现该尺寸间隙电极对.利用热处理诱导晶间断裂所制备的纳米间隙电极对具有诸多优点,如形状稳定性好、间隙中无杂质颗粒残留等,有望用来构筑两端或三端分子器件.崔阿娟 刘哲 董焕丽 王玉瑾 甄永刚 李无瑕 李俊杰 顾长志 胡文平 2015Science China Materials2015,58,10:0
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