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| 1 | 光辐射悬浮区熔法Tb_2PdSi_3单晶生长及磁性能显示文摘采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶。通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃。和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比。采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定。 | 徐义库 刘林 张军 LSER Wolfgang FRONTZEK Matthias | 2014 | 材料热处理学报2014，35，4： | 1 |
| 2 | 含有易挥发元素的Eu2PdSi3光辐射悬浮区熔法晶体生长显示文摘新型磁盘存储材料Eu_2PdSi_3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点。本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu_2PdSi_3单晶。采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu_2PdSi_3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu_2PdSi_3晶体。研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题。 | 徐义库 王丹丹 宋绪丁 于金丽 肖君霞 郝建民 刘林 张军 LOSER Wolfgang | 2016 | 材料热处理学报2016，37，3： | 0 |
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