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| 1 | 直流负偏压对类金刚石薄膜结构和性能的影响显示文摘利用直流 射频 等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅表面制备了类金刚石薄膜 ,采用原子力显微镜、Raman光谱、X射线光电子能谱、红外光谱、表面轮廓仪和纳米压痕仪考察了直流负偏压对类金刚石薄膜表面形貌、微观结构、沉积速率和硬度等性能的影响。结果表明 :无直流负偏压条件下 ,薄膜呈现有机类聚合结构 ,具有较低的SP3含量和硬度 ;叠加上直流负偏压后 ,薄膜具有典型的类金刚石结构特征 ,SP3含量和硬度得到了显著的提高 ;但随着直流负偏压的升高 ,薄膜的沉积速率和H含量逐渐降低 ,而SP3含量和硬度在直流负偏压为 2 0 0V时出现最大值 。 | 李红轩 徐洮 陈建敏 周惠娣 刘惠文 | 2003 | 材料科学与工程学报2003，21，6： | 5 |
| 2 | 高压下TATB晶体结构的理论研究显示文摘采用Material Studio/CASTEP研究不同压强下TATB晶体结构表明:(1)当外压在0.1~10GPa时,TATB晶胞主要沿c轴方向变动;且晶体的能带结构及TATB的分子结构变化不大;(2)在几十个GPa的条件下,TATB可压缩至密度超过2.5g/cm^3,而能量升高不多;(3)在0.1~100GPa条件下,TATB晶体为半导体,而过渡到导体的压力大概为几百个GPa,此时TATB分子结构已被破坏。 | 张朝阳 舒远杰 赵晓东 王新锋 | 2004 | 含能材料2004，12，A02： | 0 |
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