维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

维普中文期刊产品整合服务

共被期刊论文引用了1次 您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Review of advanced CMOS technology for post-Moore era显示文摘The continuous downsizing of device has sustained Moore's law in the past 40 years.As the power dissipation becomes more and more serious,a lot of emerging technologies have been adopted in the past decade to solve the short channel effect,leakage and performance degradation problems.In this paper,the emerging scaling technologies and device innovations,including high-k/metal gate,strain,ultra-shallow junction,tri-gate FinFET,extremely thin SOI and silicon nanowire FET will be reviewed and discussed in terms of the potential and challenge for post-Moore era.	LI Ming	2012	Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)2012，55，12：	3

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

goolge学术搜索-维普

网站首页 | 关于我们 | 联系我们 | 产品服务 | 客服中心 | 广告服务 | 版权声明 | 网站联盟 | 友情链接 | 售卡网点

版权所有© 渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费