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| 1 | MOCVD脉冲生长对InGaN太阳能电池材料的影响显示文摘通过对InGaN三元合金的生长方式做对比,发现在相同条件下,因常规生长过程中反应室In的浓度更高,生长出的InGaN中In组分更高。但是由于预反应的原因晶体质量较差,而脉冲生长由于源的分时输运,大幅减小了预反应的发生,提高了晶体质量。但由于生长时反应室In原子浓度变小,In的组分会降低,也会减小In滴的析出。 | 贾文博 李培咸 周小伟 杨扬 | 2013 | 电子科技2013，26，1： | 1 |
| 2 | ES势垒随台阶高度变化对薄膜生长的影响显示文摘建立一个模拟薄膜三维生长的蒙特卡罗模型,模型中Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒随台阶高度不同而变化。模拟结果表明:考虑ES势垒时,随着基底温度升高和沉积速率的降低,薄膜的粗糙度越来越低,成膜质量越好;一层ES势垒和层间势垒差对薄膜生长机制和成膜质量都有影响。 | 李德钦 唐吉玉 崔婧 李培 王茜 | 2013 | 固体电子学研究与进展2013，33，5： | 1 |
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