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作者
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出处
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| 1 | 基于PFA的IGBT键合线失效机理及寿命预测显示文摘为合理解释电动汽车中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块引线键合失效机理并有效预测其寿命,提出了基于失效物理分析(PFA)的IGBT模块键合引线的快速寿命预测方法。首先,分析了IGBT模块引线键合的失效机理,确定了有效评估失效的参数。其次,借助热阻抗曲线计算方法得到了IGBT模块内部温度分布,并提出了快速功率循环测试电路的实现方法。最后,对提出的方法进行了失效物理分析并进行了实验验证。实验结果表明,这种方法合理解释了引线键合失效机理,并能对IGBT模块键合引线的寿命进行有效的预测,因此具有可行性和可靠性。 | 李志星 张鑫宇 平恩顺 | 2013 | 半导体技术2013，38，9： | 3 |
| 2 | 功率循环条件下厚膜组装VDMOS的热阻结构函数分析显示文摘该文以混合集成VDMOS管为对象进行功率循环试验,将温循试验后的热阻变化进行对比分析。首先基于结构函数对VDMOS样品的热阻变化的因素进行分析。其次利用有限元分析法计算模块中各部分温度分布情况,并对比模块内部各层温度随时间的变化状态。最后结合Coffin-Manson关系外推不同温度变化条件下的循环次数。 | 汪张超 朱雨生 周斌 刘俊夫 | 2017 | 电子质量2017，，10： | 3 |
| 3 | 环境对模块内部相对温度分布的影响研究显示文摘工程上有时候模块内部的温度不易监测,如果知道模块内部及外壳一些主要点的温度差,可以利用它通过模块的表面温度估算其内部温度。设备的实际工作环境复杂多变,论文对能否用某一环境条件下的相对温度分布情况推断其他环境条件下的相对温度分布做了研究。文章以某电子设备功放模块为例,使用专业热仿真软件Flotherm分析了不同的环境因素对模块内部各个监测点间温度差的影响情况,并且通过实测进行了验证。 | 刘冠宏 | 2017 | 舰船电子工程2017，37，8： | 1 |
| 4 | IGBT功率模块的一次性焊接工艺研究显示文摘在焊接式IGBT功率模块封装过程中,通常采用键合引线进行互联,采取两次真空焊接工艺,先进行芯片与DBC陶瓷板的焊接,再进行母排端子与DBC陶瓷板的焊接以及DBC陶瓷板和基板的焊接,焊接质量直接影响IGBT功率模块的可靠性。结合现有国内外IGBT功率模块的封装技术,研发IGBT功率模块的焊接前倒装工艺和一次性焊接工艺,可降低芯片热应力,减少模块热阻抗,焊接无空洞,提高可靠性;同时简化焊接工艺复杂度,实现IGBT功率模块的工业化批量生产,进一步降低产品成本。 | 管功湖 梁思平 | 2018 | 台州学院学报2018，40，6： | 1 |
| 5 | 厚膜组装VDMOS在功率循环下的失效特征和机理显示文摘该文以厚膜组装VDMOS为对象进行功率循环试验,采用X射线、切金相剖面分析和热阻分析等方法对试验后样品进行了对比。分析厚膜组装各封装界面随时间的退化的特征,并分析了其退化机理。其次利用有限元分析法计算模块中各部分温度分布情况,最后结合Coffin-Manson关系外推不同温度变化条件下的循环次数。 | 汪张超 江国栋 吕红杰 何超 | 2020 | 电子质量2020，，5： | 0 |
| 6 | SiC二极管功率循环试验结温应力条件研究显示文摘功率循环试验(即IOL,也译作间歇工作寿命试验)是车规级电力电子器件的重要可靠性试验项目,主要考核器件的键合线、基板的焊接可靠性。相关国际标准规定的试验条件比较宽泛,随着新材料、新工艺的发展,尤其是SiC等第三代半导体材料的工业化应用,带来了器件各项工艺指标的整体提升,焊接可靠性也得到了显著提高,按照传统标准进行的功率循环试验已经难以达到暴露器件焊接工艺缺陷的目的,而按照原有试验条件增加试验周期又面临成本升高、周期过长的困境,无法满足工艺设计的可靠性评价需求,因此有必要对试验条件展开研究,探索合理的加速试验条件,适应当前阶段新型第三代半导体器件的可靠性提升水平,缩短试验周期。 | 李嘉乐 | 2021 | 环境技术2021，39，6： | 0 |
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