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| 1 | 硅光子芯片外腔窄线宽半导体激光器显示文摘随着超高速光互连、相干光通信、相干检测等技术的不断发展,对激光光源的线宽、相频噪声、可调谐性和稳定性等都提出了更为严格的要求。利用基于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的硅光子芯片与半导体增益芯片各自的优势,将二者准单片集成实现结构紧凑、低功耗和高稳定性的窄线宽半导体激光器成为近年的研究热点。该结构可通过微环谐振器、环形反射镜和马赫曾德干涉仪等提供光反馈压窄线宽,并实现宽调谐范围和稳定功率输出。本文主要阐述了硅光子芯片外腔半导体激光器的最新研究进展,针对几种包含微环谐振器的结构进行了分类介绍,深入讨论了增加耦合效率和降低端面反射率等技术难题。针对未来空间光通信和光互连等应用前景,展望了该类激光器在功率提升和光子集成方面的未来发展方向。 | 杜悦宁 陈超 秦莉 张星 陈泳屹 宁永强 | 2019 | 中国光学2019，0，2： | 7 |
| 2 | 激光热处理对硅锗芯石英包层光纤成分分布的影响显示文摘硅锗合金在非平衡条件下凝固时容易出现成分偏析,光纤制备过程带来的成分分布不均匀问题会导致很高的光纤损耗。利用CO_(2)激光对半圆柱硅棒和锗棒拼接法制备的硅锗芯石英包层光纤进行热处理,研究不同处理条件对纤芯成分分布的影响。实验结果表明,在激光扫描方向上的边缘区域可形成连续的富硅硅锗合金,并且越靠近该边缘区域,纤芯的成分分布越均匀。本研究为制备和优化硅锗芯光纤,实现纤芯均匀的成分分布提供了方法。 | 何建 陈娜 陈振宜 刘书朋 商娅娜 | 2021 | 激光与光电子学进展2021，58，3： | 2 |
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