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| 1 | 紫外-红外双色集成探测器的发展与现状显示文摘随着军事和民用对高集成度、多色化光电探测的不断需求,在近几十年内,紫外-红外(UV-IR)双色集成探测器从无到有,从彼此独立的紫外和红外探测器的简单集成发展到如今量子阱结构、键合结构等新型集成技术,但不同的光敏材料或系统带来较大的晶格失配问题仍然限制了其发展与应用。本文阐述了紫外-红外双色集成探测技术在发展过程中的主要问题,并以时间和紫外探测技术为线索简述了紫外-红外双色集成探测器的发展历史及研究现状。 | 李淑萍 何涛 付凯 于国浩 张晓东 熊敏 张宝顺 | 2018 | 红外技术2018，40，11： | 3 |
| 2 | AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器显示文摘采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围。红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的。对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试。测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5μm,响应度49 mA/W。 | 齐利芳 李献杰 唐卓睿 尹顺政 赵永林 | 2014 | 半导体技术2014，39，8： | 3 |
| 3 | 一种基于AlGaN和石墨烯的紫外-红外双色探测器显示文摘通过MOCVD和CVD生长技术,利用高Al组分Al Ga N和单层石墨烯材料进行纵向集成,成功制备了日盲紫外-近红外双色探测器。在工作温度为室温、调制频率为209 Hz以及工作电压分别为10 V和5 V的工作条件下,所制备的双色探测器在紫外波段263 nm处的响应度为5.9 m A/W,在近红外波段1.15μm处的响应度为0.67 m A/W,并且探测器的响应度均随着工作电压的增加而增大。 | 刘翌寒 曹伟 李绍娟 李洋 孙世闯 付凯 陈长清 张宝顺 | 2015 | 发光学报2015，36，10： | 3 |
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