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| 1 | 硅纳米线的生长机理及其应用显示文摘硅纳米线是一种新型低维度纳米材料,在太阳能电池、锂离子电池、场效应晶体管、生物传感器等方面具有广泛应用。较详细地介绍了硅纳米线的气液固、固液固、氧化物辅助三种生长机理,并总结各种生长机理优缺点。最后,介绍硅纳米线的相关应用,并展望其发展趋势。 | 黄崇 唐安江 唐石云 韦德举 蔡苗 | 2018 | 硅酸盐通报2018，37，2： | 1 |
| 2 | 多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长显示文摘以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30~100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线。实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响。结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加。对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少。光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si=O双键态或非桥键氧缺陷中心。 | 马蕾 郭延岭 娄建忠 彭英才 | 2012 | 人工晶体学报2012，41，1： | 1 |
| 3 | 含有气流影像的纳米硅生长图像的去伪研究显示文摘纳米硅材料的制备过程中,设备内需要通入保护气氛,导致监控系统拍摄到的SEM图中经常包含气流影像。由于目前还没有学者用软件方法对该类图片进行去伪处理,所以对于硅岛生长的数量、形状等都是靠人工观察,该方式存在个体差异且时效性差。针对该问题,提出一种基于形态学的去伪算法,滤除气流影像,智能量化硅岛数量。详细分析形态学算法中不同参数下气流影像的去除程度以及硅岛的数量和形态的保留完好程度,论证最优参数的存在性。经验证,该算法耗时短,能够有效去除伪图,能基本保留硅岛形貌,量化结果最小偏差率为0。 | 李梦宇 王超强 付顺顺 | 2022 | 滁州学院学报2022，24，5： | 0 |
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