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时间 1989 - 2010 学科选择学科
题名/关键词 模糊
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1不同衬底温度下射频磁控溅射磷掺杂ZnO薄膜的性质显示文摘为研究在低温衬底上沉积磷掺杂ZnO薄膜的性质,从室温到350°C的范围内磷掺杂的ZnO被磁控溅射到蓝宝石衬底上。样品的XRD谱显示薄膜为<001>方向择优生长,ZnO(002)面的衍射峰在250°C时最低。原子力图像分析显示:薄膜的表面形貌随沉积温度而变化,粗糙度随温度升高而增加。样品的XPS谱在134eV附近清晰地观测到了磷的P2p峰,且组分随衬底温度而变化。在400~600nm的范围内样品的平均光学透射率大于60%,所计算的光学带隙大约为3.2 eV。薄膜的Hall测量表明薄膜为n型电导,且薄膜中的载流子浓度随温度的升高而降低。该工作有助于对ZnO低温磷掺杂薄膜性质的了解,从而在低温下获得磷掺杂的ZnO p型导电薄膜。王金忠 李美成 Vincent Sallet A.Rego R.Martins E.Fortunato 2011红外与激光工程2011，40，8：4
2退火温度对Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响显示文摘采用固相反应法制备同一掺杂比例在不同退火温度下的Li掺杂ZnO。利用XRD、SEM、UV光谱测量,探究了不同退火温度对于Li掺杂ZnO缺陷及光电性能的影响。结果表明:退火温度为600℃时,Li掺杂对ZnO缺陷及光电性能调控效果较为理想。胡晓亮 朱宾宾 崔慧芹 王倩茹 周锋子 2022海峡科技与产业2022，35，1：0
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