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| 1 | 忆阻器材料的研究进展显示文摘忆阻器(RRAM)是一种新兴的非挥发性存储器,具有简单的器件结构、较快的操作速度和相对较小的功耗。简述了忆阻器的基本原理以及该领域材料方面的最新研究进展,其中重点介绍了HP忆阻器模型;综述了基于不同薄膜材料制备的忆阻器的特性,如有机材料、固态电解液材料、多元金属氧化物、二元金属氧化物等;阐述了忆阻器的重要意义及面临的巨大挑战,提出了未来该领域需要加强研究的若干问题。 | 曲翔 徐文婷 肖清华 刘斌 闫志瑞 周旗钢 | 2012 | 材料导报2012，26，11： | 4 |
| 2 | 可记忆电阻器及其应用展望综述显示文摘可记忆电阻器,本文简称为忆阻器,能够不需要功率源而储存信息,是一种纳米尺寸的器件,它于1971年被Leon Chua作为一种'丢失的电路元件'提出,2008年被惠普实验室研究人员Williams R S等证明的确存在,成为电路理论里电阻器、电容器和电感器以外的第四个基本电路元件,极有可能引领电子学的一次重要变革。本文回顾了忆阻器的概念和数学定义,重点介绍了惠普实验室的Pt/TiO2/Pt三明治结构的忆阻器薄膜器件模型和忆阻器元件某些值得关注的特性,如滞回曲线特性,最后探讨了可记忆元件在纳米级器件领域的应用前景和研究方向。 | 张荣芬 邓朝勇 傅兴华 | 2011 | 计算机工程与科学2011，33，2： | 3 |
| 3 | 可记忆电阻器的技术原理与应用分析显示文摘可记忆电阻器是一种新型概念,从诞生伊始就受到了学界的广泛关注,这项发现将有可能为制造非易失性存储设备、即开型PC、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等铺平了道路,针对可记忆电阻器的技术原理与发展展望进行分析。 | 江朋飞 | 2016 | 技术与市场2016，23，7： | 0 |
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