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| 1 | MEMS面内大量程加速度传感器设计与分析显示文摘针对目前导弹引信等武器系统领域对大量程加速度传感器的迫切需求,设计了一种测量平面内加速度的大量程压阻式加速度传感器。该传感器结构双端固支梁-质量块结构,可有效消除敏感轴轴间的交叉干扰,提高了测量精度。仿真分析表明传感器在敏感轴轴向灵敏度为1.41μV/gn,可实现对150 000 gn的加速度载荷的测量。 | 赵锐 石云波 唐军 刘俊 | 2011 | 传感技术学报2011，24，8： | 13 |
| 2 | GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究显示文摘用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。 | 王杰 张斌珍 刘君 唐建军 谭振新 贾晓娟 高杰 | 2011 | 固体电子学研究与进展2011，31，2： | 1 |
| 3 | DBRT结构等效电容的应力调制研究显示文摘在超晶格薄膜组成的量子井双势垒二极管器件(DBRT)的外部施加单轴压力,会使得器件内部的薄膜发生应变——薄膜的几何尺寸会改变。在偏压不变的情况下,器件的隧穿电流大小将会被改变,同时,器件的各项电学参数将会发生改变。文章将研究器件的等效电容在应力作用下变化的现象,也就是器件电容的应力调制现象,并把这种现象叫做介观压容效应。 | 冀海文 许丽萍 | 2010 | 纳米科技2010，7，5： | 0 |
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