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| 1 | 微纳光学在LED芯片中应用研究的综述显示文摘LED以其高效节能、体积小、寿命长等优点被认为是最有可能进入普通照明领域的一种新型固态光源,但LED芯片的光提取效率仍较低。综述了LED外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在LED芯片表面上加工粗糙微结构、LED芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。介绍了通过各种加工技术对LED芯片微纳光学结构的加工提高了芯片的外量子效率,从而提高了LED的出光效率。 | 庄杰 张大伟 陶春先 黄元申 倪争技 庄松林 | 2012 | 光学技术2012，38，1： | 2 |
| 2 | 六棱锥衬底旋转角影响LED效率的模拟探究显示文摘以正六棱锥型图形化蓝宝石衬底GaN基LED为研究对象,设计并探讨了正六棱锥图案在排布过程中旋转角的变化对LED出光效率的影响,得出各面光通量随旋转角变化的规律:在0°~30°范围,随着旋转角的增大,总光通量与顶部光通量有下降趋势,底部光通量有增长趋势。当六棱锥旋转角在0°~6°范围内时,LED芯片的总光通量和顶部光通量均有最优值。综合考虑,旋转角为0°~6°的六棱锥型图形衬底对正装LED的出光效率有最佳的优化效果。 | 何攀贵 王海燕 乔田 周仕忠 林志霆 李国强 | 2013 | 半导体光电2013，34，3： | 1 |
| 3 | 基于Cl_2基气体的InP/InGaAs干法刻蚀研究显示文摘对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl2/CH4/H2刻蚀时,两层侧壁是平整连续的,且刻蚀区表面的粗糙度也比较小。分析了两种气体组合的刻蚀机理,对上述实验现象给出了解释。 | 唐龙谷 田坤 黄晓峰 蔡娟露 陈维君 龚敏 石瑞英 | 2009 | 半导体光电2009，30，3： | 1 |
| 4 | 利用ICP进行In掺杂对GaN基LED材料性能的影响显示文摘本文主要介绍一种新型的改善Ga N材料p型欧姆接触特性的方法,即采用电子束蒸发技术在In GaN层上沉积一层ITO薄膜,然后通过感应耦合等离子体技术(ICP)对ITO进行轰击。通过XPS测试分析可知,ICP轰击ITO过程中,ITO中的In原子扩散至p-Ga N层。通过在p-Ga N上方制作欧姆接触并进行I-V测试,结果表明In掺杂后样品p型欧姆接触特性得到改善。 | 曾勇平 张保平 应磊莹 | 2015 | 山东工业技术2015，，6： | 0 |
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