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作者
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| 1 | 点阵阴极寻址型三极场发射器件的制作显示文摘结合丝网印刷工艺,通过制备绝缘层和布线层的层叠式,在玻璃基底上实现了大面积的点阵阴极寻址结构。应用碳纳米管作为阴极材料,研发了三极结构的场致发射平板显示器件样品。通过点阵阴极寻址结构,可直接对发光像素进行逐点控制,从而实现整体器件的图像显示。该器件可与现有的驱动集成电路相结合进行控制,具备良好的场致发射特性和高的显示亮度。 | 靳孝峰 张琦 李玉魁 武超 | 2009 | 液晶与显示2009，24，4： | 4 |
| 2 | 全丝印后栅CNT-FED仿真及器件研究显示文摘模拟并制作了一种基于丝网印刷技术的后栅结构碳纳米管场发射显示器。采用有限元分析软件ANSYS对器件进行了电场模拟,优化了阴极宽度、阴极厚度、阴极间隙、介质层厚度等结构参数。取最优参数制作了像素为30×30,发光面积为54mm×54mm的单色显示屏。在阳压为1500V、栅压为300V时,器件发射电流密度达到5μA/cm2。该器件制作成本低,稳定性和均匀性良好,可矩阵寻址实现字符显示。 | 杨雄 胡利勤 吴朝兴 陈勇 林志龙 郭太良 | 2010 | 液晶与显示2010，25，2： | 3 |
| 3 | 新型栅极结构的单色三极场发射器件显示文摘应用云母板作为栅极基底,结合常规的丝网印刷工艺,制作了改进的栅极结构。采用钙钠平板玻璃作为封装面板,利用碳纳米管作为冷阴极材料,研制了三极结构的单色场致发射显示器件。栅极基底的优良绝缘性能确保了其不易被强电场强度所击穿;改进的栅极层则能够进一步缩短栅极-阴极之间的有效距离,有利于降低栅极的工作电压。该显示器件具有高的显示亮度,良好的栅控能力以及场致发射特性。 | 韩建勋 李玉魁 | 2010 | 液晶与显示2010，25，3： | 2 |
| 4 | 基于场发射三极管的设计及性能研究显示文摘采用微波等离子体化学气相沉积法在不锈钢衬底上制备出了纳米非晶碳和碳纳米管混合薄膜,二极管结构测试表明薄膜材料具有优良的场发射性能。利用制备的薄膜材料作为阴极制作了前栅极结构的场发射三极管器件并对其性能进行了测试。结果表明该器件具有优良的栅控性能,亮度很高,有良好的应用前景。 | 张新月 麻华丽 曾凡光 姚宁 张兵临 | 2013 | 功能材料2013，44，8： | 0 |
| 5 | 反铁电体电子发射性能的研究显示文摘进行了锆钛酸铅反铁电体和铁电体的电子发射对比实验,研究了抽取电压、电极绝缘保护层和相变特性等对反铁电体电子发射性能的影响。通过涂覆绝缘保护层,大幅提高了表面击穿阈值,从而提高了施加场强;通过施加抽取电压,提高了发射电流密度。两种方式均使电流发射密度得到提高,最高达到153A/cm2。利用相变理论,得到反铁电体相变时的强扩散和表面的半导性使局部或表面相变温度下降,相变温度的下降有助于电子发射,合理解释了观察到的反铁电体中发射电流密度比铁电体更高和电子发射起始阈值更低的现象。 | 蔡雪梅 周应华 | 2009 | 液晶与显示2009，24，4： | 0 |
| 6 | 碳纳米薄膜材料的研究进展显示文摘碳纳米薄膜是一种新型碳纳米材料,因其具有优良的物理和化学性能、很好地应用前景而受到了广泛关注。综述了无定形碳膜、石墨烯膜、类金刚石碳(DLC)膜、金刚石膜、CNx膜和碳纳米管(CNT)膜的制备方法和结构的研究进展,总结了其在不同领域的潜在应用价值。探讨了该研究领域亟待解决的问题以及今后的发展前景。今后一段时间内对碳纳米薄膜材料的制备和应用研究将会更加深入,研究应致力于碳纳米薄膜制备方法的简单化,寻求价格低廉的碳源,同时对应用开发还要有所拓展。 | 关磊 | 2012 | 微纳电子技术2012，49，8： | 0 |
| 7 | 铁电阴极低真空电子发射性能的分析显示文摘采用锆钛酸铅(PZT)铁电阴极,在高真空4×10-3Pa和低真空1.4Pa条件下分别进行了电子发射实验。对收集电流波形进行积分,计算出收集电荷,低真空与高真空的电荷比值为0.1933,说明低真空条件下发射出的电子损失较大。运用分子运动理论和等离子体放电理论对发射电子损失的原因进行了分析。通过分子运动理论计算了分子碰撞对到达收集极的电子数目的影响,得到的低真空与高真空的电子到达几率分别为89.58%和99.97%,二者的比值为0.8961。该数值与通过实验收集电流波形计算出的到达电子比值相差很大。考虑低真空下等离子体的作用,发射电子除了与气体分子碰撞有部分损失外,还有通过等离子体和栅电极形成的对地放电损失。由等离子体放电理论计算出等离子体覆盖栅电极时间为23.8ns,与低真空的收集电流振荡周期20ns非常接近,是低真空下等离子体放电损失的有力证明。 | 蔡雪梅 周应华 吴贵能 | 2009 | 液晶与显示2009，24，2： | 0 |
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