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| 1 | 棒状纳米Cu_2O薄膜的制备及其光电性能显示文摘以硫酸铜、乳酸和乙二胺四乙酸二钠(Na2EDTA)为反应体系,采用电化学沉积法制备棒状纳米氧化亚铜(Cu2O)薄膜,探讨了Na2EDTA和十二烷基苯磺酸钠(SDBS)用量、p H值、沉积电压和沉积时间对棒状纳米Cu2O开路电压的影响。结果表明,当沉积液中含有30 m L的0.1 mol/L CuSO4溶液、10 m L的3 mol/L乳酸溶液、3 m L的0.2 mol/L Na2EDTA和4 m L的0.1 mol/L SDBS,其p H值为12.5,沉积电压为1.3 V,电沉积30 min时,所得样品的开路电压可达0.392 V。能谱仪(EDS)分析结果显示,样品Cu2O中Cu和O元素的质量分数分别为56.85%和27.99%,原子数分数分别为26.68%和52.18%,对Cu元素的原子数分数进行归一化处理,O的质量分数和原子数分数分别为7.16%和13.34%。扫描电子显微镜(SEM)结果显示,样品Cu2O为棒状,长度为50200 nm,直径约为10 nm。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在2θ为29.632°,36.503°,42.402°,61.520°和73.699°处出现5个衍射峰,分别对应于Cu2O(110),(111),(200),(220)和(311)晶面,为立方晶型。 | 王晶晶 江瑶瑶 黎燕 莫德清 朱义年 钟福新 | 2016 | 半导体技术2016，41，7： | 2 |
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