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1632.8nm连续激光辐照可见光CMOS相机实验研究显示文摘开展了632.8nm连续激光辐照可见光JHSM36Bf CMOS相机实验研究,获得了632.8nm连续激光使CMOS相机单像元饱和及全屏饱和的功率密度阈值。实验证实了CMOS比CCD抗激光干扰能力更强;连续激光比脉冲激光更容易实现对CMOS相机的干扰;分析了CMOS串扰现象与CCD的不同。用饱和面积法、相关度法和均方差法3种激光干扰图像质量评价方法,定量分析了CMOS成像受激光干扰的程度。盛良 张震 张检民 徐作冬 2015现代应用物理2015,6,3:6
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