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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	温度对Si上MOCVD-ZnO成核与薄膜生长特性的影响显示文摘采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进而影响后期ZnO主层的生长行为,但由于高温对后期ZnO纳米柱横向生长的抑制,纳米柱的尺寸并没有因为成核尺寸的增大而变大,因此在560℃得到了晶柱尺寸最大、密度最小的ZnO薄膜。最后通过改变成核温度,优化了ZnO外延膜的结晶质量。	崔夕军庄仕伟张金香史志锋伍斌董鑫张源涛张宝林杜国同	2015	发光学报2015，36，4：	3

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