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1PECVD技术制备单层光学薄膜抗激光损伤特性研究显示文摘采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2(折射率为1.46)和SiNx(折射率为1.84)光学薄膜,并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值(LIDT)测试,分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明:PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT,薄膜光学厚度在λo/4~λo/2之间时,在光学厚度为350nm时,LIDT有最小值21.7J/cm2,光学厚度为433nm时,LIDT有最大值27.9J/cm2。SiNx薄膜的LIDT随着光学厚度增加而减小,在光学厚度为λo/4时,LIDT有最大值29.3J/cm2,光学厚度为λo/2时,LIDT有最小值4.9J/cm2。李鹏 杭凌侠 徐均琪 李林军 2015应用光学2015,36,2:5
2钛酸镧薄膜的制备及工艺优化显示文摘为了获得制备钛酸镧(LaTiO3)薄膜的最优工艺条件,采用电子束热蒸发技术在K9基底上制备了单层LaTiO3激光薄膜。研究了不同工艺条件对LaTiO3薄膜激光损伤特性的影响。研究结果表明,对LaTiO3薄膜激光损伤阈值(laser-induced damage threshold,LIDT)影响最大的工艺条件是沉积温度,其次是工作真空度,最后是蒸发束流。获得了制备单层LaTiO3激光薄膜的最优工艺条件:沉积温度175℃、工作真空度2.0×10-2 Pa、蒸发束流120mA(8keV);证明了最优工艺下制备的LaTiO3薄膜具有良好的激光损伤特性、稳定性以及重复性,所制备LaTiO3薄膜的激光损伤阈值为16.9J/cm2(1 064nm,10ns)。杭良毅 徐均琪 程耀进 苏俊宏 2015应用光学2015,36,6:3
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