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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Electron transport properties of three-dimensional topological insulators显示文摘我们在试图识别表面运输的实验上与强调在三维的拓扑的绝缘体在电子运输的学习考察试验性的进展。拓扑的绝缘体的运输性质上的最近的结果变瘦电影将在弱 antilocalization 和电子电子相互作用的上下文被讨论。在拓扑的绝缘体的化学潜力的门电压控制的当前的地位将也被描述。	Yong-qing Li (1) Ke-hui Wu (1) Jun-ren Shi (2) Xin-cheng Xie (1) (2)	2012	Frontiers of physics2012，7，2：	2

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