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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	一种高性能宽带直接变频射频前端设计显示文摘提出一种宽带(250MHz^4.7GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级。低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术。带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度。仿真结果表明,当电源电压为3.3V时,总电流为9.38mA,噪声系数为9.8dB(SSB),电压转换增益为20dB,输入3阶交调为+11.8dBm。	苏浩郭东君张楠石春琦张润曦	2014	微电子学2014，44，5：	0

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