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| 1 | 溅射功率对ZnO薄膜的影响显示文摘采用射频磁控溅射在Si(100)衬底上制备不同溅射功率下的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、台阶仪和光致发光(PL)谱等表征技术研究了溅射功率对Zn0薄膜的表面形貌、晶粒尺寸、薄膜厚度及光学特性的影响。XRD及SEM的研究结果表明,在溅射功率为50-80W时,随着溅射功率的增大,晶粒尺寸增大,在70W时晶粒尺寸达到最大。随着功率的进一步增加,晶粒尺寸减小,缺陷增加。台阶仪的研究结果表明,随着溅射功率的增加,薄膜的厚度也随之增加,这可能是起辉面积对溅射速率有所影响。PL谱的研究表明,制备样品均出现绿色发光峰,其强弱反应薄膜的结晶质量,发光峰的强度越弱,说明薄膜的缺陷越少,结晶质量越好。 | 任光远 杨瑞霞 王如 杨甜甜 王晓翠 | 2013 | 微纳电子技术2013，50，12： | 0 |
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