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1高度有序ZnO-SnO_2异质外延枝状纳米结构的制备及其光催化性质研究显示文摘采用一种简单的热蒸发法制备了高度有序的ZnO-SnO2异质外延枝状纳米结构。制备过程分两步进行:首先,在氧化铝片基底上制备SnO2纳米线;然后,以此SnO2纳米线为模板在其上生长ZnO纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等手段对产物的形貌、结构进行了表征。XRD表征结果证实第一步和第二步生长的产物分别为SnO2和ZnO。SEM观察结果表明,第一步热蒸发得到直径约100nm、长度达几十微米的SnO2纳米线,第二步热蒸发后得到以第一步SnO2纳米线为主干、沿四个方向有序排列的枝状ZnO纳米结构。TEM观察结果表明,ZnO枝状纳米线沿[001]方向由SnO2纳米线(-101)晶面外延生长。所制备的枝状纳米结构由于具有巨大的比表面积,且外延异质结可以促进电荷的分离和快速转移,因此非常适合于光催化应用。该ZnO-SnO2异质外延枝状纳米结构用于光催化降解甲基橙,表现出优异的性能。凌世婷 佘广为 穆丽璇 师文生 2013影像科学与光化学2013,31,6:2
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