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| 1 | 新型低压低功耗基准电压源显示文摘设计了一种低压、低功耗基准电压源电路.该电路采用工作在亚阈区的MOSFET与传统PNP晶体管相结合的方式,使得电路的输出基准电压与MOSFET阈值无关,具有较低功耗和较高精度.同时,虚拟二极管连接的偏置结构的引入提高了环路增益,进而提高基准源的电源抑制比(PSRR).采用SMIC0.18“m工艺平台,并完成版图设计以及仿真验证.当基准源输出电压为0.702V时,电源电压工作范围为0.9~3.0V,静态功耗仅为0.6gW,其温度系数为13.6肛V/℃,PSRR接近80dB.在不同工艺角下,该基准电路的输出基准电压最大偏差为9mV. | 杜永乾 庄奕琪 李小明 井凯 | 2013 | 华中科技大学学报(自然科学版)2013，41，11： | 1 |
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